에 의해 문턱전압의 산포가 증가하고 소자의 write/erase 전압이 9-12 V 정도의 높은 전압을 사용하는 문제점을 해 결하기 위해 NFGM은 기존 플래시 메모리와 똑같은 소자구조 ... -12 V)에 비해, 직접 터널링은 통상 낮은 전계(low-field, 3-4 V)를 동반하는 프로세서이다. 직접 터널링을 이용하면 낮은 전계에 의해 터널링 절연막의 스트레스를 줄 ... 다. 성이 있고, 직접(direct) 터널링을 통한 쓰기/지우기 시간을 개선할 수 있는 여지가 있다. Hot 캐리어 (전계 등에 의해 에너지가 높은 캐리어) 주입이나 FN터널링(10
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