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전자회로실험 - 결과보고서 - 공통 베이스 증폭기

"전자회로실험 - 결과보고서 - 공통 베이스 증폭기"에 대한 내용입니다.
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최초등록일 2025.03.20 최종저작일 2024.09
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전자회로실험 - 결과보고서 - 공통 베이스 증폭기
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    • 🧰 실제 회로 설계 및 측정 방법 학습 가능

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    소개

    "전자회로실험 - 결과보고서 - 공통 베이스 증폭기"에 대한 내용입니다.

    목차

    (1) 실험회로 1([그림 8-5])에서 V_CC 값 12V, v_sig 값을 0V, V_b 값을 6V, V_BB 값을 4V로 두고, R_BB 저항값이 2kΩ인 경우 v_O의 DC 값이 4V가 되도록 하는 R_C 값을 결정한다. 이 경우 BJT의 각 단자들의 전압(V_C,V_B,V_E)를 구하고 전류(I_C,I_E,I_B)를 구하고, [표 8-1]에 기록하시오. 각 단자들의 전압을 바탕으로 BJT가 능동 영역에서 동작하는지 확인하시오.
    (2) v_sig 값을 0V로 두고, V_BB 전압을 0V, 12V, 3V~9V는 500mV 간격으로 변화시키면서 v_O의 DC 전압을 측정하여 [표 8-2]에 기록하고, 실험회로 1의 입력-출력 전달 특성 곡선을 [그림8-8]에 그리시오.
    (3) 능동 영역에서 회로가 동작하는 경우 BJT의 트랜스컨덕턴스 g_m 값, 입력 저항 r_π, 이미터 저항 r_e, 전류 증폭도 β를 구하여 [표 8-3]에 기록하시오. 이를 이용하여 실험회로 1의 소신호 등가회로를 그리고, 이미터 팔로워 회로의 이론적인 전압 이득을 구하시오.
    (4) 전압 이득이 최소 10V/V 이상 나오는지 실험하기 위해 입력에 10kHz의 0.01V_(p-p) 정현파의 입력 전압을 인가한다. 이때 공통 베이스 증폭기 회로의 입력-출력 전압의 크기를 [표 8-4]에 기록하여 전압 이득을 구하고, 크기와 위상을 고려하여 입력 전압(v_sig)과 출력 전압(v_O)의 파형을 캡처하여 [그림 8-9] 과 같은 형태로 결과 보고서에 기록하시오.
    (5) 실험회로 1의 입력 저항과 출력 저항을 직접 측정하여 [표 8-5]에 기록하시오. 입력 저항을 측정하기 위해 입력의 DC 전압을 변화시키면서 입력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다. 출력 저항을 측정하기 위해 입력에 0V를 인가하고, 출력 쪽에 DC 전압을 변화시키면서 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다.

    본문내용

    (1) 실험회로 1([그림 8-5])에서 V_CC 값 12V, v_sig 값을 0V, V_b 값을 6V, V_BB 값을 4V로 두고, R_BB 저항값이 2kΩ인 경우 v_O의 DC 값이 4V가 되도록 하는 R_C 값을 결정한다. 이 경우 BJT의 각 단자들의 전압(V_C,V_B,V_E)를 구하고 전류(I_C,I_E,I_B)를 구하고, [표 8-1]에 기록하시오. 각 단자들의 전압을 바탕으로 BJT가 능동 영역에서 동작하는지 확인하시오.

    (PSpice
    결과)

    전압
    (V)

    전압
    (V)

    전압
    (V)

    전류
    (uA)

    전류
    (uA)

    전류
    (uA)
    동작
    영역
    8.77k 6 6 5.38 5.26 684.36 689.62 Active

    참고자료

    · 없음
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    • 1. 공통 베이스 증폭기 (Common Base Amplifier)
      공통 베이스 증폭기는 입력이 이미터에 인가되고 출력이 컬렉터에서 나오는 구성으로, 매우 낮은 입력 임피던스와 높은 출력 임피던스를 특징으로 합니다. 이러한 특성은 고주파 응용에서 우수한 성능을 제공하며, 특히 RF 회로와 광대역 증폭기 설계에 매우 유용합니다. 공통 베이스 구성은 입력과 출력 사이의 위상 변화가 없어 안정성이 뛰어나고, 높은 이득과 낮은 노이즈 지수를 동시에 달성할 수 있습니다. 다만 낮은 입력 임피던스로 인해 임피던스 매칭이 필요하며, 실제 설계 시 바이어싱 회로가 복잡해질 수 있다는 단점이 있습니다.
    • 2. BJT 바이어싱 (BJT Biasing)
      BJT 바이어싱은 트랜지스터를 능동 영역에서 안정적으로 동작시키기 위한 필수적인 과정입니다. 고정 베이스 전류 바이어싱, 이미터 저항 바이어싱, 분압기 바이어싱 등 다양한 방식이 있으며, 각 방식은 온도 안정성과 회로 복잡도에서 서로 다른 특성을 보입니다. 특히 분압기 바이어싱은 온도 변화에 대한 우수한 안정성을 제공하여 실무에서 가장 널리 사용됩니다. 적절한 바이어싱 설계는 회로의 신뢰성과 성능을 크게 향상시키며, 부정확한 바이어싱은 왜곡, 비선형성, 심지어 소자 손상까지 초래할 수 있습니다.
    • 3. BJT 능동 영역 (Active Region)
      BJT의 능동 영역은 베이스-이미터 접합이 순방향 바이어스되고 베이스-컬렉터 접합이 역방향 바이어스되는 영역으로, 선형 증폭이 가능한 가장 중요한 동작 영역입니다. 이 영역에서 컬렉터 전류는 베이스 전류에 거의 비례하며, 이를 통해 전류 증폭이 실현됩니다. 능동 영역의 특성을 정확히 이해하는 것은 증폭기 설계의 기초이며, 출력 임피던스, 입력 임피던스, 이득 등 모든 중요한 파라미터가 이 영역의 특성에 의존합니다. 능동 영역을 벗어나면 포화 또는 차단 영역으로 진입하여 비선형 동작을 하게 됩니다.
    • 4. BJT 전류 특성 (BJT Current Characteristics)
      BJT의 전류 특성은 베이스 전류, 컬렉터 전류, 이미터 전류 간의 관계를 나타내며, 전류 이득(β)이 핵심 파라미터입니다. 이상적으로는 컬렉터 전류가 베이스 전류에 선형적으로 비례하지만, 실제로는 온도, 바이어싱 조건, 주파수 등에 따라 변합니다. 초기 효과(Early effect)는 베이스-컬렉터 역바이어스 전압이 증가하면서 유효 베이스 폭이 감소하여 전류 이득이 증가하는 현상으로, 고정밀 회로 설계에서 고려해야 합니다. BJT의 전류 특성을 정확히 파악하면 회로의 동작을 예측하고 최적화할 수 있습니다.
  • 자료후기

      Ai 리뷰
      실험 결과를 바탕으로 BJT 증폭기 회로의 동작을 상세히 분석하였으며, 각 단자의 전압과 전류를 정확히 계산하여 제시하였습니다.
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