[2024/A+]서울시립대_전전설3_실험12_예비

목차

Ⅰ. 서론
1. 실험 목적
2. 배경 이론

Ⅱ. 실험 장비 및 실험 방법
1. 실험 순서
2. 실험 장비

Ⅲ. 예비보고서
1. 예비보고서1
2. 예비보고서2
3. 예비보고서3

Ⅳ. 참고문헌

본문내용

1. 실험 목적
가) BJT 트랜지스터를 사용하여 Voltage follow circuit 회로설계
나) 동작 검증

2. 배경이론
가) 실험 이론
１) BJT

BJT는 Bipolar Junction Transistor의 약자로, 전자(electron)와 정공(hole)이라는 두 가지 타입의 캐리어를 사용하는 트랜지스터이다. 이 트랜지스터는 N형과 P형 반도체 재료로 구성되며, 주로 전류 증폭과 스위칭 응용에 사용된다. BJT에는 NPN형과 PNP형 두 가지가 있으며, 각각의 캐리어 이동에 따라 동작 방식이 다르다.

- NPN형 BJT: N형 반도체 - P형 반도체 - N형 반도체로 구성된다. 전자는 에미터(Emitter)에서 베이스(Base)로, 그리고 컬렉터(Collector)로 이동하며, 이 과정에서 정공도 중요한 역할을 한다.
- PNP형 BJT: P형 반도체 - N형 반도체 - P형 반도체로 구성된다. 정공은 에미터에서 베이스로, 그리고 컬렉터로 이동하며, 이 과정에서 전자도 중요한 역할을 한다.

２) Voltage follower circuit
전압을 따라가는 회로를 말한다. 입력 전압을 증폭하지 않고, 단지 동일한 전압을 출력으로 전달하는데 사용된다. 입력 장치의 저항을 높이거나 출력 장치의 부하에 대한 영향을 줄이는 데 유용하다. 전압 추종 회로는 일반적으로 고입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 갖고 있어서, 신호 소스와 출력 장치 간의 임피던스 매칭을 개선하는 데 사용될 수 있다. 이 회로는 "buffer amplifier" 또는 "unity gain amplifier"로도 알려져 있다.

참고자료

· Raymond A. Serway, John W. Jewett, 『대학물리학Ⅱ』, 북스힐(2019)
· Irwin, 『Engineering Circuit Analysis』, WILEY(2015)
· Sedra, 『Microelectronic Circuit 7th』, OXFORD(2016)