중앙대학교 다이오드 결과 보고서

소개

"중앙대학교 다이오드 결과 보고서"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 결과
3. 고찰

본문내용

<다이오드>
1. 실험 목적
(1) Si 다이오드 DC 특성을 실험을 통해 이해한다.
(2) Ge 다이오드 DC 특성을 실험을 통해 이해한다.
(3) 제너 다이오드 DC 특성을 실험을 통해 이해한다.

다이오드는 Si, Ge 두 종류로 구분 할 수 있다. 결합된 전자의 수가 정공의 수보다 많은가 적은가에 따라 P Type, N Type으로 구분할 수 있으며 두 종류의 타입을 결합한 것을 다이오드라고 한다. 다이오드는 내부적으로 전하흐름이 없는 평형상태를 유지하는 PN 접합을 이루게 된다. P형 쪽에 (+)전압을, N형 쪽에 (-)전압을 인가했을 때의 바이어스 상태를 순방향바이어스라 한다. 평형상태의 접합에서 (+)단자는 N 영역에, (-)단자는 P영역에 연결하여 전압을 인가한 경우를 역방향 바이어스라 한다. 다이오드의 출력전류는 입력전압에 비례한다. 순방향 바이어스 시 전압-전류 특성으로 Vd가 0.6V까지는 출력전류가 인가전압의 변화에도 거의 변화가 없다. 그러나 0.6V부터는 미세한 변화가 생기기 시작하다가 0.6~0.7V를 넘어서면 전압의 변화에 전류는 비례적으로 증가한다. 반대로 역방향 전압을 점점 크게 하면 누설전류는 조금씩 증가하다가 어느 값에 가까우면 급격히 증가하기 시작한다. 이때의 전압을 항복전압이라고 한다. 제너다이오드는 낮은 역방향 전압에서도 항복현상이 일어난다. 제너다이오드의 정상 동작영역은 항복전압 이상의 역방향 전압이다.

2. 실험 결과
2-1. Si 다이오드

참고자료

· 없음