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BJT 1-Large Signal Analysis 1_결과레포트2025.01.121. BJT의 DC 특성 실험 실험을 통해 NPN BJT와 PNP BJT의 DC 특성을 확인하였다. 실험 결과, BJT의 Ic-Vce 특성이 지수함수 형태로 나타났으며, 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 것을 확인하였다. 또한 BJT의 베타 값을 측정한 결과, 저항 값에 따라 베타 값이 달라지는 것을 관찰하였다. 2. NPN BJT의 DC 특성 NPN BJT의 Ic-Vce 특성 실험 결과, 시뮬레이션 결과와 잘 일치하는 지수함수 형태의 특성 곡선을 얻을 수 있었다. 또한 베타 값 측정 실험에서는 저항 값에 따라 베타 값이 100에서 2...2025.01.12
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직류모터 PID 제어 시뮬링크2025.05.071. DC 모터 시뮬레이션 이 과제에서는 DC 모터의 전기적 특성과 기계적 특성을 모델링하고 시뮬레이션을 수행했습니다. DC 모터는 전류 관련 전기적 특성과 각속도 관련 기계적 특성을 가지고 있어 회로를 두 가지로 나누어 모델링해야 한다는 것을 배웠습니다. 2. PID 제어기 이번 과제에서는 PID 제어기를 사용하여 DC 모터를 제어하는 시뮬레이션을 수행했습니다. PID 제어기의 비례 이득(Kp), 적분 이득(Ki), 미분 이득(Kd)을 변화시켜가며 각각의 응답 특성을 분석했습니다. 이를 통해 PID 제어기의 각 파라미터가 시스템 ...2025.05.07
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중앙대학교 다이오드 결과 보고서2025.01.291. Si 다이오드 DC 특성 Si 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. 순방향 바이어스 시 전압-전류 특성으로 Vd가 0.6V까지는 출력전류가 인가전압의 변화에도 거의 변화가 없다. 그러나 0.6V부터는 미세한 변화가 생기기 시작하다가 0.6~0.7V를 넘어서면 전압의 변화에 전류는 비례적으로 증가한다. 반대로 역방향 전압을 점점 크게 하면 누설전류는 조금씩 증가하다가 어느 값에 가까우면 급격히 증가하기 시작한다. 2. Ge 다이오드 DC 특성 Ge 다이오드의 DC 특성을 실험을 통해 이해하였다. Ge 다이오드는 Si ...2025.01.29
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서6_계측장비 및 교류전원의 접지상태의 측정방법 설계(보고서 1등)2025.05.101. 계측장비 접지상태 측정 실습을 통해 DMM, Oscilloscope, Function generator의 접지상태, 내부연결상태, 입력저항을 유추하는 방법을 설계하고 계측장비의 정확한 사용법을 익혔다. 실험실 벽면 소켓의 접지단자 사이 전압 측정, DMM과 Oscilloscope의 주파수 특성 비교, DMM의 AC/DC 측정 특성 분석, Oscilloscope의 INVERT 기능 이해, 접지 연결 상태 확인 등의 실험을 진행하였다. 2. DMM 주파수 특성 주파수를 증가시키면서 DMM과 Oscilloscope의 전압 측정값을 ...2025.05.10
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디지털집적회로 NAND, NOR, XOR gate 설계도 및 DC, Transient 시뮬레이션 결과2025.04.281. NAND gate NAND gate의 pull-down 네트워크는 VA와 VB가 모두 높을 때 도통하는 직렬 NMOS 트랜지스터로 구성되며, pull-up 네트워크는 병렬 PMOS 트랜지스터로 구성됩니다. NAND gate의 효과적인 pull-up/pull-down 저항은 단위 인버터의 저항과 같아야 합니다. NMOS 트랜지스터가 직렬로 연결되어 있어 효과적인 저항이 두 배가 되므로 크기가 단위 인버터의 두 배가 되어야 합니다. PMOS의 경우 최악의 경우인 하나의 PMOS만 켜지는 것을 고려하여 단위 인버터와 같은 크기로 설...2025.04.28
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전기회로설계 및 실습_설계 실습6. 계측장비 및 교류전원의 접지상태 측정방법설계_결과보고서2025.01.211. 계측장비 접지 상태 측정 실습에서 주로 사용하는 계측장비인 Digital Multimeter(DMM)과 Oscilloscope, Function generator의 접지 전압을 측정하고 내부 연결 상태와 입력 저항을 유추하였다. 이를 통해 계측장비의 정확한 사용법을 익혔다. 2. 교류 전원 접지 상태 측정 power outlet의 접지 단자 사이 전압을 측정하여 교류 전류의 실효값을 확인하였다. 또한 접지를 포함한 단자 사이의 전압을 측정하여 220.0V임을 확인하였다. 3. DMM과 오실로스코프의 주파수 특성 비교 DMM은 ...2025.01.21
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실험 08_공통 베이스 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 베이스 증폭기 이번 실험은 BJT를 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 공통 베이스 증폭기에 대한 실험이다. 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. DC 조건 측정 실험 절차 1에서는 공통 베이스 증폭기의 DC 조건을 측정하였다. 예비 보고서와 저항값을 다르게 사용하였으나, 1kΩ일 때 값을 예비 보고서와 비교하여 보면 오차가 조금 발생하긴 했지...2025.04.28
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실험 08_공통 베이스 증폭기 예비보고서2025.04.271. 공통 베이스 증폭기 공통 베이스 증폭기는 입력 임피던스가 작기 때문에 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 공통 베이스 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. 공통 베이스 증폭기의 전압 이득 공통 베이스 증폭기의 전압 이득은 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있으며, 크기는 공통 이미터 증폭기와 같고, 위상만 반대임을 알 수 있다. 3. 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스 공통 베이스 증폭기의 입력 임피던스는 소신호 등가회로를 이용해서 구할 수 있...2025.04.27
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실험14_전자회로실험_예비보고서_캐스코드 증폭기2025.01.091. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 MOSFET를 이용한 증폭기 회로로, 입력 MOSFET와 부하 MOSFET로 구성되어 있습니다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 동작 원리와 특성을 분석하고자 합니다. 실험 절차에 따라 캐스코드 증폭기의 DC 동작점 설정, 입출력 전압 특성 측정, 소신호 등가회로 분석, 전압 이득 측정 등을 수행하여 캐스코드 증폭기의 특성을 종합적으로 확인할 수 있습니다. 1. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기는 전자 회로 설계에서 널리 사용되는 중요한 회로 구조입니다. 이 증폭기는 높은 입력 임피던스와 낮은 ...2025.01.09
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[전자공학응용실험]2주차_1차실험_MOSFET 기본특성 및 MOSFET 바이어스 회로_예비레포트_A+2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 2. MOSFET 바이어스 회로 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아 주기 위한 바이어스 회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인한다. 1. MOSFET 기본 특성 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 반도체 소자 중 하나로, 전자 기기에 널리 사용되는 핵심 부품입니다. MOSFET의 기본 특성은 다음과 같습...2025.01.29
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