중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서1(분반1등)

소개

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목차

1) 3.1 센서 측정 및 등가회로

2) 3.2 Op amp를 사용한 Amplifier 설계
(1) 3.2.1 Inverting Amplifier 설계와 시뮬레이션
(2) 3.2.2 Inverting Amplifier 측정
(3) 3.2.3 Non-Inverting Amplifier 설계
(4) 3.2.4 두 Amplifier의 비교
(5) 3.2.5 Summing Amplifier

본문내용

출력신호가 주파수 2 kHz의 정현파인 어떤 센서의 출력전압을 오실로스코프 (입력 임피던스 = 1 MΩ)로 직접 측정하였더니 peak to peak 전압이 200㎷이었고 센서의 부하로 10 kΩ 저항을 연결한 후 10 kΩ 저항에 걸리는 전압을 역시 오실로스코프로 측정하였더니 peak to peak 전압이 100mV이었다.
(A) 센서의 Thevenin 등가회로를 구하는 과정을 기술하고 센서의 Thevenin 등가회로를 PSPICE로 그려서 제출한다.

센서의 출력 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 200mV(peak to peak)가 측정되었다. V_th(=Vampl)의 크기는 100mV으로, peak to peak 값은 100mV*2= 200mV가 된다.

10kΩ의 부하 저항에 흐르는 전압을 측정해보니 100mV(peak to peak)가 측정되었다. 오실로스코프의 입력 임피던스 값은 부하 저항에 비해 매우 큰 값이고, 전류는 모두 부하 저항 쪽으로 흐르게 될 것이다. 우리는 전압 분배 법칙에 의해 계산을 해보면 100mV = 10k/(10k+Rth)*200mV 의 수식을 사용할 수 있으며 이를 통해 계산된 R_th 값은 10kΩ이 된다. 이를 이용하여 Thevenin 등가회로를 Pspice 프로그램을 이용하여 그리면 위와 같다.
(B) 센서의 Thevenin 등가회로를 Function generator와 저항으로 구현하려 할 때 Function generator의 출력을 얼마로 설정해야 하는가? Function generator의 출력 저항은 50Ω이며 전면에 표시되는 출력전압은 50Ω의 부하가 연결되었을 때 이 부하에 걸리는 전압을 의미한다.

센서의 저항은 10kΩ을 가지고 있다. Function generator의 출력 전압은 센서에 걸리는 전압과 분배 식을 사용하여 V * 10k/(10k+50) = 200mV, V = 201mV(Vpp)이라고 구할 수 있다.

참고자료

· 없음