중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정

소개

2024년, 4학년에 재학 중인 중앙대학교 전자전기공학부 학생입니다. 누구보다 학업에 진지하게 임하였기 때문에, 제 자료에 자부심이 있습니다. 현재 학점은 4.3XX이며, 저의 모든 자료에 대해 증빙할 수 있습니다.
전자회로설계실습 과목은 제가 저희 분반에서 유일하게 레포트 점수 만점을 획득하였습니다. 누구보다 시간을 많이 투자하여 정성스레 작성하였으니, 제 자료를 참고하여 좋은 결과 얻으셨으면 좋겠습니다. 감사합니다.
## 2023년 진행중인 실습책에 맞춰서 제작된 보고서입니다. 2022년부터 책이 약간 바뀌었기 때문에, 비대면 시절이 아닌 대면 시절의 보고서 입니다.

## 중요내용 및 주의사항의 경우 항상 형광펜 및 빨간 글씨로 표시해놓아, 편집하기 매우 쉽습니다. 또한, PDF 파일이 아닌 Word 파일로 올려서 여러분들의 마음에 들게 자체 수정하여 사용하시면 바람직할 것 같습니다.

목차

없음

본문내용

4. 설계실습 내용 및 분석 (결과 report 작성 내용)

$ 4.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정
(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, R_G=1MΩ으로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 V_GS=0V, V_DS=5V로 조정 후 Outp 후에 ut OFF 연결한다.
실제 실험사진
구현회로
(B) V_GS를 1.0V부터 0.1V씩 높여가며 Power Supply의 V_DS를 인가하는 Port의 전류를 측정한다. 측정한 전류가 130mA이상이 되면 측정을 중지한다. (낮은 전압부터 올리면서 측정한다.)
우리는 DMM을 사용하여 전류를 측정함에 있어서 큰 오차율이 발생할 수 있음을 인지하고, Drain 쪽에 1kΩ 저항을 단 후, 그 저항에 걸리는 전압을 측정하였다. 이후 그 전압을 저항으로 나누면 자연스레 I_D를 측정할 수 있다.
V_GS (V) R양단 전압 (mV)I_D (mA)
10.0022.03E-06
1.10.0033.05E-06
1.20.0077.12E-06
1.30.0222.24E-05
1.40.0858.65E-05
1.50.3393.45E-04
1.61.331.35E-03
1.75.115.20E-03
1.8191.93E-02
1.968.56.97E-02
2219.310.223
2.1619.70.630
2.215281.55
2.33212.33.27
2.44824.14.91
2.549255.01
2.64951.55.04
2.74964.45.05
2.84971.55.06
2.94976.35.06

참고자료

· 없음