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나노재료공학 기말레포트

동아대 화학공학과 나노재료공학 기말고사 정규 레포트 입니다. 과제점수 만점 받았습니다.
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한컴오피스
최초등록일 2023.04.10 최종저작일 2022.10
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나노재료공학 기말레포트
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    소개

    동아대 화학공학과 나노재료공학 기말고사 정규 레포트 입니다.
    과제점수 만점 받았습니다.

    목차

    1. 제 5-6주 생각할 점
    1) Gibbs 함수는 화학반응과 어떤 관계가 있는가?
    2) 분무법의 경우(교과서 그림 5-6) 최종입자의 크기는 어떻게 결정이 되는가?

    2. 제 9-10주 생각할 점
    1) 광학 리소그래피가 100nm 이하의 구조물을 제작하기 힘든 이유를 설명 하시오.
    2) Homogeneous하게 박막을 제작할 수 있는 방법과 이름을 모두 열거 하시오.
    3) 분자성 박막과 일반적인 성장박막은 어떤 차이점이 있습니까?
    4) SAM박박의 제작법의 원리를 설명 하시오.
    5) LB법에 있어서 다층박막의 형성법과 LBL의 다층 박막의 형성법으 원리적으로 어떤 차이가 있고, 이들 두 방법에 있어서 박막의 원료(재료)는 어떻게 다른가요?
    6) LB법에 있어서 분자의밀도가 아주 높은 막을 만드는 방법을 설명하시오.
    7) PDMS와 SAM 기술을 이용하면 분자성 나노 박막(배향성이 제어된 막)을 원하는 패턴모양으로 만들 수 있다고 합니다. 어떻게 하면 될까요?
    8) 박막의 응용분야(OLED, Solar cell, Fuel Cell 등)에 대하여 조사하시오.

    3. 제 13주 생각할 점
    1) 상용화된 나노 복합재료의 예를 10개 이상 조사하여 정리하세요
    2) CNT의 분산법을 정리하여 토론하세요
    3) 전자기 복사선 종류에 따른 에너지를 정리하세요.
    4) 삼성에서 3-4nm 리소그래피 공정을 설계할 시 EUV를 광원으로 사용한다고 합니다. EUV 공정이란 어떤 것이고 왜 사용되는지 조사하시오.

    본문내용

    1-1 Gibbs 함수는 화학반응과 어떤 관계가 있는가?
    깁스 에너지라고도 불리는 깁스 함수는 ΔG = ΔH-TΔS 로 표현한다. 일정한 온도와 압력에서 계로부터 얻을 수 있는 일과 자발성이다. 계는 열린계에서만 일어난다. 화학 반응과의 관계는 ΔG가 0보다 작으면, 화학반응의 과정은 자발적이다. ΔG가 0보다 크면, 화학반응의 과정은 자발적이지 않다. ΔG=0이면, 화학반응의 과정은 평형에 있다.

    1-2 분무법의 경우(교과서 그림 5-6) 최종입자의 크기는 어떻게 결정이 되는가?
    먼저 분무법이란, aeresol 분사 노즐을 이용하여 압력을 이용해 기체와 액체를 동시에 분사하는 방법이다. 분무법의 종류로는 초음파 분무법과 정전 분무법이 있다. 초음파 분무법은 50KHz에서 17KHz 의 진동을 이용해 액적을 만든다. 최종입자의 크기는 수 마이크론 크기의 입자를 제조할 수 있다. 정전 분무법은 분무 노즐에 전압을 걸어서 분무하는 방법이다.

    참고자료

    · https://www.koreascience.or.kr/article/JAKO200610103416207.pdf
    · http://toparadic.tistory.com/332
    · https://news.samsung.com/kr/euv-%EA%B3%B5%EC%A0%95%EC%9D%B4%EB%9E%80-%EC%B0%A8%EC%84%B8%EB%8C%80-%EC%B9%A9%EC%9D%98-%ED%95%B5%EC%8B%AC%EA%B8%B0%EC%88%A0
  • AI와 토픽 톺아보기

    • 1. 깁스 함수와 화학반응
      깁스 함수는 화학반응의 자발성을 판단하는 핵심 열역학 지표로서 매우 중요합니다. ΔG = ΔH - TΔS 식을 통해 엔탈피와 엔트로피의 상대적 기여도를 정량적으로 평가할 수 있으며, 이는 반응이 자발적으로 진행될 수 있는지를 예측하는 데 필수적입니다. 특히 온도 변화에 따른 반응성의 변화를 이해하는 데 깁스 함수만큼 효과적인 도구는 없습니다. 산업 공정 최적화와 신소재 개발에서 깁스 함수 계산을 통해 반응 조건을 사전에 설계할 수 있어 비용과 시간을 절감할 수 있습니다. 다만 실제 반응 속도는 활성화 에너지에 의존하므로, 깁스 함수만으로는 반응 속도를 예측할 수 없다는 한계가 있습니다.
    • 2. 박막 제조 기술
      박막 제조 기술은 반도체, 디스플레이, 태양전지 등 현대 산업의 근간을 이루는 핵심 기술입니다. 물리기상증착(PVD), 화학기상증착(CVD), 원자층증착(ALD) 등 다양한 방법이 각각의 장단점을 가지고 있으며, 응용 분야에 따라 최적의 기술을 선택해야 합니다. 특히 나노 수준의 정밀한 두께 제어와 균일성 확보가 점점 더 중요해지고 있습니다. ALD 기술은 원자 단위의 정밀성으로 차세대 소자 제조에 필수적이 되고 있으며, 이러한 기술 발전이 없이는 무어의 법칙 연장이 불가능할 것으로 예상됩니다. 앞으로 박막 제조 기술의 고속화와 저비용화가 산업 경쟁력의 핵심이 될 것입니다.
    • 3. 나노복합재료 응용
      나노복합재료는 나노 입자의 우수한 물성을 매트릭스 재료와 결합하여 기존 재료를 능가하는 성능을 구현하는 혁신적인 기술입니다. 탄소나노튜브, 그래핀, 나노 세라믹 등을 활용한 나노복합재료는 기계적 강도, 전기 전도성, 열 전도성 등을 동시에 향상시킬 수 있습니다. 항공우주, 자동차, 에너지 저장 등 다양한 산업에서 실용화되고 있으며, 특히 경량화와 고성능화가 요구되는 분야에서 그 가치가 높습니다. 다만 나노 입자의 균일한 분산, 계면 접착력 제어, 대량 생산 공정 개발 등 해결해야 할 기술적 과제들이 여전히 존재합니다. 이러한 문제들이 해결된다면 나노복합재료는 미래 산업의 핵심 소재가 될 것으로 기대됩니다.
    • 4. 극자외선(EUV) 리소그래피 공정
      EUV 리소그래피는 13.5nm 파장의 극자외선을 이용하여 미세한 패턴을 형성하는 차세대 반도체 제조 기술로, 반도체 미세화의 물리적 한계를 극복하는 핵심 솔루션입니다. 기존 ArF 리소그래피의 해상도 한계를 뛰어넘어 3nm 이하의 미세 공정을 가능하게 하며, 이는 고성능 프로세서와 메모리 칩 개발에 필수적입니다. 다만 EUV 광원의 낮은 효율, 고가의 장비 비용, 복잡한 공정 조건 등으로 인해 도입 장벽이 높습니다. 또한 EUV 마스크 결함, 포토레지스트 개발, 정렬 정밀도 등 해결해야 할 기술적 과제들이 많습니다. 그럼에도 불구하고 EUV 기술은 반도체 산업의 지속적인 발전을 위해 필수불가결하며, 지속적인 투자와 개선을 통해 점차 성숙해질 것으로 예상됩니다.
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