A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 8 MOSFET Current Mirror 설계

소개

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목차

1. <설계실습 계획서>
1) 3.1 단일 Current Mirror 설계
2) 3.2 Cascode Current Mirror 설계

본문내용

(B) IREF = 10 mA인 전류원을 설계하기 위해서 M2의 VGS를 구하여라. 또한, VGS를 만족시키기 위한 R1값을 구하여라.

I _{O} =I _{REF} = {1} over {2} k _{n} '(W/L)(V _{GS} -V _{th} ) ^{2} 이다.
따라서 V _{GS} = sqrt {{I _{REF}} over {{1} over {2} k _{n} '(W/L)}} +V _{th} = sqrt {{(10TIMES10 ^{-3} )} over {(111.607TIMES10 ^{-3} )}} +2.1SIMEQ2.399`[rmV]itSIMEQ2.4`[rmV] 이다.
이고 V _{GS2} =V _{DS2} 이므로, 이때 이러한 V _{GS} 를 만족시키기 위한 R _{1}의 값은 다음과 같다.
R _{1} = {V _{DD} -V _{DS2}} over {I _{REF}} = {10-2.4} over {(10TIMES10 ^{-3} )} =760`[rm ohm ]

(C) 전류원으로 이용하기 위해서 M1은 Saturation 영역에서 동작해야 한다. 이 때 M1이 Saturation 영역에서 동작하기 위한 조건을 설명하라. 이때, RL의 최대값을 구하여라. RL값이 줄어들어도 상관없는지 설명하라.
M1이 Saturation 영역에서 동작하는 것을 보장하기 위해서는 M1의 전압들이 다음을 만족해야 한다.

참고자료

· 없음