Memory 세미나 내용, RAM ROM Flash NOR NAND

소개

"Memory 세미나 내용, RAM ROM Flash NOR NAND"에 대한 내용입니다.

목차

1. Memory란?
1) Memory의 종류
2) 반도체 기억장치

2. RAM(Random Access Memory)
1) SRAM(Static RAM)
2) DRAM(Dynamic RAM)
(1) Fast Page Mode
(2) EDO DRAM & Burst EDO DRAM
(3) SDRAM(Synchronous DRAM)

3. ROM(Read Only Memory)
1) 종류
2) Memory Cell의 동작 - Data Write(Program) / Read / Erase

4. Flash Memory
1) 구조
2) NAND Flash Memory - Array / 동작 / Bad block & ECC / 종류 / 성능 / 수명 / Address / Interface / Timing
3) NOR Flash Memory - Array / Interface
4) eMMC & UFS

본문내용

- 자기 표면 기억장치 (magnetic memory device)
: 자화 물질로 코팅 된 표면에 자화 방향에 따라 정보를 저장
낮은 코스트, 비 휘발성의 장점.
(Flash Memory의 개발 이전의 ROM은 2개의 Tr로 이루어져 있어 코스트가 높았다.)
높은 전력소모, 소형화의 부적합, 외부 충격의 치명적이란 단점.
- 반도체 기억장치
: 반도체 물질인 실리콘을 사용하여 제작(전기적 속성)

RAM
전원이 유지 되는 동안만 사용이 가능하다.(휘발성)
data 처리 속도가 빨라 CPU의 연산이나 응용프로그램 로딩, 데이터 일시 저장 등의 이용된다.

ROM
전원 차단 이후에도 Data가 유지 된다. (비휘발성)
바이오스(BIOS), 운영체제(OS), 펌웨어 저장의 사용된다.
기본적으로 Read만 가능했으나, ROM writer를 통해 프로그래밍이 가능하도록 발전 됐다.

Flash Memory
EEPROM의 일종으로 data 처리 속도가 보완되고 대용량화 된 형태이다.
ROM처럼 data를 보존할 수 있으며, RAM처럼 자유롭게 읽고 쓰기가 가능하다.

참고자료

· 없음