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(서울시립대 전전설3) [종합2등(A+), 성적증명] 6주차 결과레포트+MATLAB코드+실험데이터 - Various Diode Characteristics

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최초등록일 2021.12.31 최종저작일 2021.03
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(서울시립대 전전설3) [종합2등(A+), 성적증명] 6주차 결과레포트+MATLAB코드+실험데이터 - Various Diode Characteristics
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    소개

    교수님 분반 2021년 1학기 자료입니다!

    실험값을 적을 엑셀을 미리 MATLAB과 연동시켜 놓았으므로 실험하면서 돌려보면 이론값과 실시간으로 비교할 수 있어요!
    MATLAB코드를 실행하는 것도 파일을 받은 위치만 별도로 입력해주고 실행하면 원하는 그래프가 나오도록 최대한 편리하게 썼습니다.
    결과레포트에선 제가 직접 실험했던 데이터까지 정리해서 포함시켜 놓았어요!

    이때 사용된 이론값은 transfer function만 입력하고 MATLAB에서 계산했거나,
    또는 LTspice에서 만든 회로로 계산한 뒤 내보내기한 텍스트 파일이므로 믿을 만합니다.

    교안은 다른 교수님 분반과 주제만 동일하고 내용은 아예 다릅니다... 게다가 교수님이 의욕이 크신 만큼 작년에 쓴 자료를 고쳐 쓰실 확률도 꽤 높아요.
    그래서 정확히 어떤 교안에 대해 작성한 보고서인지 궁금하실 수 있는데 여기 직접 올려드릴 수는 없고 문의 남겨주시면 확인 도와드리겠습니다!

    목차

    I. Introduction
    I.1. Purpose

    II. Experiment Setup
    II.1. Exper. 1) PN Diode
    II.2. Exper. 2) Zener Diode
    II.3. Exper. 3) Light Emitting Diode
    II.4. Exper. 4) Schottky Diode

    III. Experimental Results & Analysis
    III.1. Exper. 1) PN Diode
    III.2. Exper. 2) Zener Diode
    III.3. Exper. 3) Light Emitting Diode
    III.4. Exper. 4) Schottky Diode

    IV. Conclusion
    IV.1. Summary
    IV.2. Outcome
    IV.3. General review

    본문내용

    I. Introduction
    I.1. Purpose
    본 실험은 여러 종류의 diode 소자 – PN diode, Zener diode, light emitting diode, Schottky diode – 를 이용한 회로를 구성하여 이들의 voltage-current characteristic과 DC/AC resistance에 대해 알아보고자 한다.

    II. Experiment Setup
    II.1. Exper. 1) PN Diode
    R=10Ω,-10<V_s<2.8이고 D는 1N4004의 PN doide를 사용하였다. 이하 Figure 1과 동일하다.

    II.2. Exper. 2) Zener Diode
    R=50Ω,-10<V_s<2.5이고 D는 1N4733의 Zener doide를 사용하였다. 이하 Figure 1과 동일하다.

    II.3. Exper. 3) Light Emitting Diode
    R=330Ω,-5<V_s<5이고 D는 red LED를 사용하였다. 이하 Figure 2와 동일하다.

    II.4. Exper. 4) Schottky Diode
    R=10Ω,-10<V_s<2이고 D는 1N5817의 Schottky doide를 사용하였다. 이하 Figure 1과 동일하다.

    < 중 략 >

    Accuracy of the prediction
    ⓐ 개형이 대체로 일치
    이론값을 구할 때 사용한 소자의 시뮬레이션과 실제 측정 실험이 대체로 잘 이루어졌음을 알 수 있다.

    ⓑ V_D>0.34일 때 불연속적
    Diode의 PN 접합부가 망가졌기 때문으로 추정된다. 실험 시에 forward bias current가 한계 범위를 넘는 사고가 있었고 문제가 생긴 저항 소자를 교체하였으나 diode 소자의 미세한 파괴를 미처 발견하지 못하였을 수 있다. 실제로 Figure 3에서 V_D≤0.34일 때는 이론값과 매우 일지하는 것을 확인할 수 있다.

    참고자료

    · 서시립, “6주차 예비 보고서”, 전자전기컴퓨터설계실험 III, 2021.
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      지식판매자의 이 자료 덕분에 ,복잡했던 과제를 체계적으로 정리하고, 실질적인 결과를 얻을 수 있었습니다. 완벽한 자료였습니다. 매우 추천합니다.
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