직렬 및 병렬 다이오드 구조 결과보고서

목차

Ⅰ. 실험 결과
Ⅱ. 결과 분석 및 고찰
Ⅲ. 참고 문헌

본문내용

Ⅰ. 실험 결과
1. 문턱 전압 
Si과 Ge 두 다이오드에 대해서 DMM의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서(curve tracer)를 사용하여 문턱 전압을 측정하라. 이 실험에서 얻어진 점화 전위는 그림 3-2에서 보여준 각 다이오드의 등가적 특성을 나타낸다. 두 다이오드에서 얻어진  값을 그림 3-2에 각각 기록하라. 만약 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 이용할 수 없다면 Si에 대해서   = 0.7V, Ge에 대해서  = 0.3V로 가정하라.

Si 다이오드의 VT = 0.5374V
Ge 다이오드의 VT = 0.5422V

2. 직렬 구조
a. 그림 3-3의 회로를 구성하라. 저항 R값을 측정하고 기록하라.

<중 략>

Ⅱ. 결과 분석 및 고찰
1. 문턱 전압 
DMM의 다이오드 검사 기능을 이용하여 Si 다이오드의  값을 0.5374V로 측정하였고 Ge 다이오드의  값은 0.5422V로 측정하였다.

2. 직렬 구조
다이오드와 저항으로 구성된 회로를 직렬로 연결하여 구성한 회로에 대해 전압을 측정하고 전류의 값을 구했다. 실험결과 이론값과 많은 차이가 나지 않고 수용 가능한 범위 안에서 측정되었다. 전압의 값이 다소 계속해서 계산 값과 다르게 도출되었던 이유는 Si 다이오드의 문턱전압이 1번에서 지정한 0.7V값이 아닌 실험2에서 측정했던 것처럼 0.5374V정도의 값으로 그에 미치지 못하는 값이기 때문이다.(Ge다이오드 또한 마찬가지이다. Ge다이오드의 문턱전압은 0.3V인데 측정값은 0.5422V로 나왔기 때문이다.) 다이오드에서 회색 줄이 있는 쪽이 out으로 N형 반도체의 부분인데 이번 실험에서 in-out의 방향에 따른 동작의 차이를 알아보았다. 전류의 방향이 다이오드의 in-out방향과 일치되었을 때 전압의 크기가 약 0.5374V를 넘는다면 다이오드에 문턱전압만큼의 전압이 걸리고, 이 회로는 단락되어 전체적으로 전류가 흐르게 된다. 하지만 방향이 반대가 된다면 이 회로는 같은 양의 전압을 걸어주어도 마치 회로가 끊긴 것 같은 개방회로로 동작한다는 것을 확인 할 수 있었다.

참고자료

· Robert L. Boylestad 외 2저,『전자회로실험 제 10판』,ITC(2011),P25~35