반도체 - 단결정 성장 방법

소개

"반도체 - 단결정 성장 방법"에 대한 내용입니다.

목차

1. 쵸크랄스키 인상법(CZ 법)
2. 브리즈만 법
3. 부유대역 용해법(FZ 법)
4. VPE(Vapor Phase Epitaxy)
5. HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)
6. MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)
7. LPE(Liquid Phase Epitaxy)
8. MBE(Molecular Beam Epitaxy)

본문내용

CZ법 사례
<고 저항 Czochralski 실리콘으로 만든 입자 탐지기>
우리는 자기 Czochralski 방법으로 성장한 n 형 및 p 형 고 저항 실리콘 웨이퍼에서 핀 다이오드 및 스트립 검출기를 처리했습니다. Okmetic OYJ 의해 제조 된 웨이퍼 초크 랄 스키 실리콘 (CZ-Si의) (900)의 공칭 저항이 Ω cm 1.9 kΩ보다 n 형 및 p 형의 경우 cm. 이들 기판의 산소 농도는 집적 회로 제조에 사용되는 웨이퍼에서 전형적으로 약간 적다. 이것은 반도체 제조 및 방사선 경도에 최적입니다. 장치의 방사 경도는 저에너지 및 고 에너지 양성자, 중성자, γ- 선, 리튬 이온 및 전자를 포함한 여러 조사 캠페인으로 조사되었습니다. Cz-Si는 표준 Float Zone 실리콘 (Fz-Si) 또는 산소화 된 Fz-Si보다 더 강한 방사선으로 밝혀졌습니다. 양성자를 조사했을 때, Cz-Si의 완전 공핍 전압 은 5 × 10 14 cm -2 1-MeV eq 의 플루 언스 후에도 초기 값 300 V를 초과하지 않았다 . n cm -2 이는 LHC 실험에서 30 년 이상의 스트립 검출기 작동과 같습니다.

<중 략>

브리즈만 법 사례
본 발명자들은 CdMnTe 단결정을 성장하기 위하여, 먼저 앰플을 산소-프로판 불꽃으로 내경 9mm, 두께 1mm, 길이 12cm인 석영관의 끝을 시드가 형성되기 쉽도록 원추형으로 가공하였다. 이것을 세척액(H2O : K2Cr2O7 : H2SO4)속에 24시간 담갔다가 세척한 후 증류수, 아세톤, 메탄올, 증류수 순서로 여러 번 세척하여 건조시켜서 사용하였다.

이때, 원료인 Cd과 Te, 그리고 전이금속(Mn) 물질이 용융상태에서 석영관 내부 벽과 반응하는 것을 방지하기 위하여 성장온도 보다 높은 1300℃ 부근에서 성장관 내부를 완전히 불투명하게 탄소 코팅하여 사용하였다.

참고자료

· 없음