Photoresist processing

목차

1. 실험제목
2. 실험일자
3. 실험목적
4. 실험원리
5. 참고문헌

본문내용

1. 실험 제목: Photoresist processing
2. 실험 일자: 2016. 12. 09(금)
3. 실험 목적: photoresist processing을 해봄으로써 리소그래피의 원리를 이해하고 이에 사용되는 고분자의 특성이나 작용원리 등을 이해한다.

4. 실험 원리:
Photolithography
반도체의 표면에 사진 인쇄 기술을 써서 집적회로, 부품 박막회로, 프린트 배선 패턴 등을 만들어내는 기법이다. 실리콘 기판의 깨끗한 표면에 포토레지스트 액을 스핀코팅, 스프레이 또는 담금으로서 고르게 도포한다. 건조 후 마스크를 통해서 빛을 선택적으로 조사한다. 레지스트 비중 합 부분은 적당한 용제로 제거한다. 중합화 부분이 식각 프로세스에 있어서의 장벽으로서, 또는 디파짓 프로세스에 있어서의 마스크로 작용한다. 마스크에 대한 양화를 만드는 경우와 음화를 만드는 경우에 사용하는 레지스트도 각각 positive, negative 레지스트를 쓴다.

참고자료

· http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=titler5&logNo=20106478313&parentCategoryNo=1&categoryNo=&viewDate=&isShowPopul
· arPosts=true&from=search(검색일: 2016.12.08.)
· https://en.wikipedia.org/wiki/Photoresist(검색일: 2016.12.08.)
· http://slideplayer.com/slide/8683349/(검색일: 2016.12.08.)
· 김성훈, 김상태, 포토레지스트의 기술 동향과 화학 증폭형 포토레지스트에서의 광산 발생제의 연구, J of the chosun nature science vol.2 NO4, 2009, p250~263