전자전기컴퓨터설계실험3 - 예비레포트 - 실험12 - BJT(BJT Amplifier Circuit) (A+)

목차

1. Introduction (실험에 대한 소개)
가. Purpose of this Lab
나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab

2. Materials & Methods (실험 장비 및 재료와 실험 방법)
가. Experimental data to obtain and Order of experiment
나. Materials (Equipment, Devices) of this Lab

3. Supposed Data and Results of this Lab (예상 실험 결과)
가. Pre-Lab 1.
나. Pre-Lab 2.
다. Pre-Lab 3.

4. Matters that require attentions (주의 사항)
가. Attentions to manipulate equipment
나. Cause of suppose error & Effort for reducing error

5. Reference (참고문헌)

본문내용

가. Purpose of this Lab
BJT 트랜지스터를 사용하여 Common-Emitter 증폭기 회로를 설계하고 그 동작을 알 수 있다.

나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab
(1) BJT
(가) What is BJT
BJT는 Bipolar Junction Transistor의 약자로 Carrier를 electron과 hole 모두 사용하는 Bipolar형 트랜지스터이다.

(나) Structure of BJT
이번 실험에 사용할 BJT는 npn형이다. 따라서 npn형의 BJT의 구조를 알아보면 그림 2와 같다. N-type, P-type, N-type으로 접합이 되어있고, 이를 Emitter Base Collector라고 한다. 그림 2에서는 Emitter와 Collector가 대칭적인 형태로 보이지만 실제로는 물리적으로 대칭적이지 않는다. 즉 도핑 농도 및 pn 접합 면적이 다르게 제작된다. npn 트랜지스터인 경우 Base의 폭이 가장 좁고 Emitter Collector 순으로 폭이 커지게 된다.

(2) 동작 원리
(가) Cut-off Region
Base-Emitter에 걸린 전압이 Threshold Voltage보다 낮으면 전류가 0이되어 Cut-off가 된다.

(나) Active Region
Base-Emitter에 Forward Bias, Base-Collector에 Reverse Bias상태일 때 Active Region에 있고 증폭기로 사용된다. Emitter에서 Electron이 Base로 이동한다. 이때 Base의 폭이 매우 좁고 Base와 Collector에 Reverse Bias이므로 Base로 이동한 Electron이 Collector로 이동해 전류가 흐르게 된다.

(다) Saturation Region
Base-Emitter와 Base-Collector에 Forward Bias상태일 때 입력 전압을 높여줘도 출력 전압이 더 이상 증가하지 않는 영역이다.

참고자료

· Sedra, 『Microelectronic Circuit 7th』, OXFORD(2016), p242-p250
· “정보통신기술용어해설" http://www.ktword.co.kr/index.php
· 실험 교안 ppt파일