반도체(포토리소그래피,나노임프린트)실험 결과 보고서(실험과정, 분석)

소개

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목차

Ⅰ 실험 방법
Ⅱ 실험 결과
Ⅲ 결과 토의
Ⅳ 부록

본문내용

Ⅰ 실험 방법

(1) Mask Cleaning : 아세톤, 에탄올, DI Water 순으로 마스크를 세척 해준다.
(2) PR coating : 웨이퍼를 가운데에 올리고 진공을 잡아 준다. 다음 웨이퍼위에 표면의 2/3정도로 PR을 올려 준 후 다음과 같이 코팅을 해준다.
PR Spin coating
1step(속도/시간) 1800rpm 60s
표 PR coating 공정
● 주의점 : 스포이트로 PR을 너무 빠르게 뿌리게 되면 PR coating에서 기포자국이 생기게 된다.
(3) Soft Bake : PR 코팅 이후 delay time을 약간 가진 후 PR의 solvent를 제거하고 기판과의 접착력을 높여 주기 위해 soft bake를 해준다.
PR Soft Bake
온도(℃) 90
시간(s) 120
표 Soft bake 공정 조건
(4) Mask arrangement : 캐드 마스크 앞, 뒷면의 필름을 모두 제거 한다. PNU가 보이는 면이 Quartz에 오도록, 그 반대 면이 웨이퍼에 접촉하도록 한다. 이후 마스크 장착.
● 처음 공정에서 웨이퍼의 진공을 잡아 주지 못하였다. 즉 그로 인해 contact이 완전하지 않아 마스크와 기판 사이에 간격이 보다 넓어지게 되고 회절에 의한 분해능이 안 좋아 지게 된다.
(5) Exposure : - exposure time : 7s
● Standing wave으로 인한 표면 거칠기를 해결하기 위한 PEB과정은 positive PR에서 보통 생략하기도 한다.
(6) development : delay time을 가져준 후 알칼리성 용액인 현상액을 비커에 담구는 dip 방법으로 50초 동안 현상을 시켜 준다.
(4) cleaning and dry : DI water로 20초 정도 씻어 준 다음 air gun으로 건조 시켜준다.

참고자료

· C A Mack. 1987. Development of Positive Photoresists. Department of Defense. Fort Meade. Maryland 20755-6000
· Chris Lansford, Clint Miller, Dan Sutton. Aprill 2001. Investigating defect mechanisms for a low-volume resist coating recipe with a solvent prewet step. Advanced Micro Devices.