Photolithography Mask Patterning 반도체 공정 실험 보고서_ A +레포트

소개

보고서 주제 : Photolithography Mask Patterning 반도체 공정 실험 보고서_ A+ 레포트
[[ 대학교 과목: 반도체, 반도체공정, 반도체 공학, 반도체 설계 실험 ]]

4년 장학생이 쓴 A+ 보고서 레포트
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목차

1. Objective of experiment
2. Experimental equipment
3. Experimental materials

4. Results and discussion
1) Photolithography 실험과정을 자세히 적으시오. (시간, 온도 등이 ) 왜 이렇게 했는지도 자세히 적으시오.
2) Etching 의 원리를 적으시오.
3) Etching 실험과정을 자세히 적으시오. (시간, 온도 등이 ) 왜 이렇게 했는지도 자세히 적으시오.
4) 여러분들이 마스크를 디자인한 마스크와 얼마나 동일하게 패터닝이 되었는지 사이즈를 현미경을 통해 재고 사진을 찍으시오. 그리고 리소그래피 , 그리고 에칭공정 후 설계한 저항 패턴의 크기를 모두 적고 차이가 있는지 확인하시오. 만약 차이가 있다면 원인이 무엇일지 적으시오.
5) 만약 패터닝을 더 정확하게 하려면, 어떻게 하면 좋을지 각자의 아이디어를 쓰시오.

5. References

본문내용

1. Objective of experiment
실험목적은 설계했던 특정 저항 값에 맞추어, 디자인 Mask Glass와 Silicon Wafer를 가지고 Photolithography 과정과 그 이후의 Etching 과정을 진행한다. 또한 Etching 과정 이후의 Silicon Wafer 표면에 디자인이 Patterning이 되었는지 확인하며, 이를 바탕으로 Photolithography 공정과 Etching 의 각 단계별 의미를 알아보는 것이 이번 실험의 목적이다.

2. Experimental equipment
Heating machine, Spinning Spread Machine, 커터 칼, 절연테이프, 자, Tweezer, Blower machine, Photolithography machine, holder, 비커, 보호 장갑, 보호의, 보호안경, 초시계, 시편을 담을 Case

3. Experimental materials
Si Wafer glass (50 nm Ti Coating on), Ethanol, methanol, Isopropanol, PR용액 (AZ 7220: positive PR), DOP(Dioctyl Phthalate), developer용액, H20,
Acetone, UV (Ultraviolet light : wavelength λ ≡ 0.2~0.4㎛ )

4. Results and discussion
1) Photolithography 실험과정을 자세히 적으시오. (시간, 온도 등이 ) 왜 이렇게 했는지도 자세히 적으시오.
Photolithography 실험은 Mask 디자인 설계의 연속선상에서의 실험이므로,
1. 50nm Ti가 코팅되어져있는 Silicon Wafer ( 3Wafer와 3Area)의 주어진 면저항 Sheet resistance (ρ sh = 9.49 ohm/sq) 값을 활용

참고자료

· 『Nano Materials』, 진인주, 이익모, p. 153~158, “나노구조 박막”
· 『나노공학 기초와 미래』, 서영섭, 박영서, p. 58 ~ 61, “광리소그래피의
· 한계와 단점”
· 『반도체 Lithography Stepper 핵심기술 개발』, 한국과학기술원, p. 59~55 ,
· “Wafer pattern 과 마스크 정렬”
· 『나노 테크놀로지』, 주승기, p. 59~68, “초미세 식각기술”