[전자회로설계및실험]3장 직렬 및 병렬 다이오드 구조 예비 보고서

소개

"[전자회로설계및실험]3장 직렬 및 병렬 다이오드 구조 예비 보고서"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험목적
2. 실험소요장비
3. 이론
4. 실험순서

본문내용

실험목적: 직렬 또는 병렬 다이오드 구조의 회로를 해석하고 다양한 다이오드 회로의 회로 전압을 계산하고 측정한다.

실험소요장비 : 계측기 : DMM
저항 : 1KΩ, 2.2KΩ
다이오드 : Si, Ge
전원 : 직류전원

이론 : Si다이오드가 on 상태가 되려면 다이오드 양단의 전압은 적어도 0.7V가 되어야 한다.다이오드 양단 전압이 일단 0.7V에 도달하면 다이오드는 전기적인 등가회로를 갖는다. VD<0.7V 또는 극성이 반대이면 다이오드를 개방회로로 고려할 수 있다. Ge다이오드 경우 0.3V가 기준이다.
인가되는 직류 전압이 다이오드의 천이 전압을 초과하는 대부분의 회로에서 마음속으로 다이오드를 저항으로 대체하고 저항을 통하여 흐르는 전류 방향에 의해서 다이오드의 상태를 파악 할 수 있다. 전류방향이 다이오드 기호의 화살표와 일치한다면 다이오드는 on상태이고, 반대이면 다이오드는 off 상태에 있다.
저항 양단으로부터 출력을 얻을 때 출력 전압은 Vo=VR=IRR 임을 주의하라. 이것은 다이오드가 개방 회로 상태가 되어 전류가 0일 때 도움이 된다. IR=0이면 Vo=0이다. 개방회로에서 전류가 0 이지만 전류는 오직 외부 회로에 의해서 또는 다이오드의 정격에 의해서 제한된다.
논리 게이트 해석은 다이오드의 상태를 가정하고, 여러 전압 레벨을 결정하고, 그 다음 결정된 전압이, 회로의 어떤 점(Vo와 같은)에서 전압 레벨은 오직 한 값만을 갖는 것과 같은 기본 법칙에 위반되는지를 판단한다. 다이오드를 on시키기 위해서 천이 전압과 동일 한 순방향 바이어스 전압이 있어야 한다.
P형의 접합부에서는 정공이 N형 영역으로 확산되어 넘어가서 음이온화된 억셉트 이온에 의한 음전하층이 형성되고, N형의 접합부에서는 전자가 P형 영역으로 넘어가서 양이온화된 도너 이온의 양전하층이 생깁니다. PN 접합부의 이온층은 전기장을 형성하는데 전계의 방향은 +에서 -이므로 여기서는 N(양이온층)에서 P(음이온층)의 방향으로 전계가 형성됩니다.

참고자료

· 전자회로실험 10판 (Pearson)
· http://m.blog.daum.net/dasomcap/878