전자회로실험 8장 - 쌍극성 접합 트랜지스터 특성 with PSPICE

소개

전자회로실험 결과보고서 "쌍극성 접합 트랜지스터 특성"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험방법
2. 실험결과

본문내용

1. 실험방법
1. 트랜지스터의 형태, 단자, 재료결정
트랜지스터 단자에 1, 2, 3을 표시한 후 멀티미터의 양의 리드와 음의 리드를 각각 해당 표와 같이 단자에 연결하여 지시값을 기록했습니다.

<중 략>

▶ 위의 실험 결과에서 알 수 있듯이 open으로 나타난 두 단자 중 어느 단자도 베이스는 아니므로 voltage가 측정된 단자 중 공통인 2번 단자가 베이스입니다.
▶ 이는 다이오드의 원리에서부터 알 수 있는데 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체가 붙어있고 한쪽 방향으로만 전류가 흐르는 특성이 있습니다. P형에 (+)를 N형에 (-)를 연결하면 다이오드를 통해 전류가 흘러 저항 값이 작게 나타나고 P형에 (-)를 N형에 (+)를 연결하면 전류가 흐르지 않아 저항 값이 크게 나타납니다. 따라서 NPN형인 Si 트랜지스터에서 베이스는 P형으로 (+)단자를 연결하고 이미터, 컬렉터에 (-)단자를 연결했을 때 값이 측정되는 것입니다.

참고자료

· 없음