전자재료의 저항 측정(도체,반도체,부도체 온도-저항특성)

소개

도체, 반도체, 부도체 온도와 저항 특성 레포트

목차

1. 실험날짜
2. 실험제목
3. 예비이론
4. 참고문헌

본문내용

전도대 : 부분적으로 채워진 밴드 또는 금지대 없이 전도대 및 가전자대가 겹쳐져 있는 밴드 구조를 보인다.
금지대 : Eg이 있거나 없을 수 있다.
가전자대 : 전자들로 완전히 채워져 있다.

온도와 재료의 저항률 사이의 관계를 나타낸 식

금속(도체)에서 전도대와 가전자대 사이에 금지대가 없으므로 두 밴드는 겹쳐진 구조를 갖는다. 전자는 도체의 핵에 약하게 결합되어있어 전자를 쉽게 잃어버린다. 이때 온도가 증가하면 격자구조에서 금속이온의 진동이 증가하고 원자는 높은 진폭으로 진동한다. 이러한 진동은 차례로 자유전자와 다른 전자 사이에 빈번한 충돌을 일으킨다. 각각의 충돌은 자유전자의 일부 에너지를 흡수하고, 드리프트 속도를 감소시키며 움직임을 제한한다. 이는 금속의 저항이 증가하여 금속의 전류 흐름이 감소함을 의미한다. 저항률 증가는 재료의 전도도가 감소함을 의미한다.

참고자료

· 에너지 밴드 구조 : http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=4080
· 온도에 따른 비저항 변화 : https://www.askiitians.com/iit-jee-electric-current/temperature-dependence-of-resistivity/
· 도체, 반도체, 부도체 온도에 따른 비저항 그래프:
· https://if-blog.tistory.com/5650