반도체 정리

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목차

1. 반도체 기초
2. 반도체 소자
3. 반도체 메모리
4. 반도체 공정
5. 반도체 기초1
6. 반도체 기초2
7. 반도체 소자
8. 웨이퍼 제조
9. 산화공정
10. 포토공정
11. 식각공정
12. 박막 공정
13. 금속배선 공정
14. 테스트 공정(Electrical Die Sorting, EDS)
15. 패키징 공정

본문내용

반도체 기초
반도체 정의
1) 전기 전도도에 따른 정의
도체 : 금속과 같이 전기가 잘 통하는 물질(비저항이 낮다)
부도체 : 유리와 같이 전기가 잘 통하지 않는 물질(비저항이 높다)
반도체 : 전류가 잘 흐르는 정도가 도체와 부도체의 중간 정도인 물질
단원소 반도체 : 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)
화합물 반도체 : GaAs(비소화갈륨) 등
비저항 : 물질이 전류의 흐름에 얼마나 세게 맞서는지를 측정한 물리량
2) 외부에서 순수한 반도체에 불순물을 주입
불순물 : 도핑하여 반도체의 전기 전도도를 원하는 대로 조절 할 수 있는 물질

전하(Charge)
1) 양성 또는 음성 극성(전기)를 띠는 입자 [C] 쿨롱(coulomb)
2) 단위 시간 당 이동한 전하량(C/sec) -> 전류[A]

캐리어(Carrier)
1) 캐리어는 반도체 내에서 전하를 이동시켜 전류를 발생시키는 전하 운송자
2) 전자와 정공으로 구성되며, 전자가 이동하고 남은 자리를 정공이라고 함
양전하 -> 정공(hole) -> 음(-) 전압 쪽으로 이동
음전하 -> 전자(electron) -> 양(+) 전압 쪽으로 이동

정전 용량(Capacitor)
1) 전기가 통하는 도체 전극 사이에 절연체(유전체)가 존재하는 구조
2) 외부 전압 인가 시 같은 양, 반대 극성의 전하가 전극에 모임
3) 전하간의 인력으로 외부 전압 없이도 일정 시간 전하 보존 -> 충전의 원리

Si(실리콘, 규소)의 특성
1) 반도체에 실리콘을 사용하는 이유 : 원재료를 얻기 쉽고 가격이 싸다, 산화막 특성이 좋다, 녹는점이 높다(1414도), 고순도의 불순물 정제 기술 발달
2) Si의 특성 : 4족원소로 원자 번호 14, 원자 간 결합은 공유결합, 0K이상에서 전자-정공 쌍 생성

반도체 종류
1) N형 반도체(Negative) : 5족(가전자 5개) 원소(인, 비소)를 불순물로 주입, 실리콘과 공유 결합 후 전자 1개 남음, 다수 캐리어->전자, 소수 캐리어->정공

참고 자료

없음