VLSI공정 6장 문제정리

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1) Positive - 감광물질, 베이스수지, 유기 용매 3가지 물질로 구성된다. 노광된 부분이 제거되어 마스크 패턴과 동일한 패턴을 만들 수 있다. 또한 negative형보다 분해능이 우수하다. 하지만 큰 노광에너지가 필요하기 때문에 노광시간이 길고, 이에 따라 작업처리량도 낮다.
2) Negative - 감광물질과 결합된 고분자물질로 노광된 부분의 감광제는 빛 에너지를 흡수하여 고분자물질을 교차 결합시켜 현상액에 용해되지 않는다. 즉, positive와 반대로 빛을 받지 않는 부분이 제거된다. 한계 데미지가 낮아 노광시간이 짧은 장점으로 시간당 많은 수의 웨이퍼를 처리할 수 있다. 또한 Metal 증착 시에 'lift off'공정에 사용하기에 적합하다. 하지만 현상과정에서 현상액을 흡수하여 부피가 증가하므로 해상도가 좋지 않다.
b) 이온주입용 마스크로 사용시 고려해야 할 점?
-> 이온주입 시 이온이 마스크를 뚫고 들어가지 못하도록 마스크의 두께를 충분히 두껍도록 해야한다. 만약 마스크가 너무 얇아 이온이 뚫고 들어가게 된다면 원하지 않는 부분에 이온주입이 된다.
c) Dry Etching용 마스크로 사용시 고려해야 할 점?
-> Dry Etching의 경우 식각 선택도가 높지 않기 때문에 마스크와 기판이 거의 동일하게 깎여나간다. 이에 따라 'Over Etching'이 일어나지 않도록 마스크의 종류와 두께를 고려해야만 한다.
d) Dry Etching에 있어서 hard mask를 사용하는 경우와 이유?
-> Hard mask는 금속재료를 사용하여 마스크를 만드는데, emulsion mask에 비하여 물리적 화학적 내구성이 우수하다.
이온 충격에 의한 물리적 방법이나 플라즈마 속에서 발생된 반응물질들의 화학반응에 의해 PR을 사용할 수 없는 경우에 사용하며, 끝 부분이 날카롭기 때문에 미세패턴을 만들 때 사용하기 적합하다.
e) Positive PR이 negative PR보다 해상도가 좋은 이유?
-> negative PR이 현상 시 PR이 현상액을 흡수하여 부피가 팽창한다. 이로 인해 negative PR은 해상도가 제한된다.

참고자료

· 없음