실험14 MOSFET 특성 실험 예비보고서

목차

1. 목적

2. 이론
1) 증가형 MOSFET
2) 공핍형 MOSFET
3) MOSFET 바이어스

본문내용

1. 목적
(1) MOSFET의 소스, 게이트, 드레인 등 세 단자의 특성을 실험적으로 결정한다.
(2) MOSFET 증폭기의 바이어스 기법을 고찰한다.
(3) MOSFET을 사용한 소스 공통 증폭기의 전압이득을 측정한다.

2. 이론
(1) 증가형 MOSFET(enhancement-type MOSFET)
MOSFET은 JFET와 마찬가지로 드레인 전류 가 게이트에 가해지는 전압 에 의해 제어되는 전계효과 트랜지스터이다. MOSFET은 제작되는 방법에 따라 공핍형(depletion type)과 증가형(enhancement type)으로 구별되며, 게이트가 절연 물질로 구성된 MOSFET이 게이트가 역방향으로 pn접합에 의해 구성되는 JFET보다는 훨씬 더 큰 입력 임피던스를 가지게 된다.
증가형 MOSFET에서는 드레인과 소스 단자 사이에 채널이 없으며 N형 드레인과 소스는 P형 기판(substrate)에 의해 분리된다. 공핍형과의 차이는 채널을 유기할 필요가 있다는 것이다. 즉, 게이트 전압인 가 문턱전압인 보다 크고, 만일, 게이트 전압이 0 이면, 전도채널이 형성되지 않아 으로 차단상태이다. 이때, 소스-드레인 사이에 높은 저항(≒1012[Ω])을 갖는다.

참고자료

· http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=1788
· 대학전자회로 실험, 신인철 외 3인, 청문각