[고분자공학실험]ITO Pattering 공정

소개

[고분자공학실험]ITO Pattering 공정 실험레포트입니다.
예비 실험보고서 입니다. 결과는 없습니다.

목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론 및 원리
3. 실험 기구 및 시약
4. 실험 방법
5. 참고 문헌

본문내용

1. 감광막 [Photo Resist]
PR은 빛이나 방사, 열 등 여러 형태의 에너지에 노출되었을 때 내부구조가 바뀌는 특성을 가진 혼합물이다. 반도체에 적용되는 PR의 구조 변화는 현상 가능에서 현상 불능 혹은 그 역으로 바꾸어진다. PR은 복사업계에서 쓰여 왔는데, 1920년에 인쇄회로기판업계에서 먼저 응용하기 시작했다. 반도체 산업은 1950년대에 웨이퍼공정에 이 기술을 적용시켰다. 반도체에 쓰이는 PR은 Eastman Kodak 회사에서 최초로 개발되었다. PR은 패턴 크기나 공정을 생각지 않고는 선택할 수 없다. 한 번 공정이 설정되었으면 PR을 바꿀 때는 충분한 테스트가 선행되어야 한다. 감광액(점착성의 유기용액)을 웨이퍼 기판 위에 필요한 양만큼 떨어트린 후 스피너(spinner)로 기판을 수천 rpm(revolutions per minute)의 속도로 회전시키면 기판 표면 위에 1μm 두께의 얇은 막이 균일하게 형성된다.

참고자료

· 고분자실험, 한국고분자학회, 자유아카데미, 2005.07.20 p.101-105