한컴오피스 
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미리보기
소개
Capacitor 특성 측정목차
1. 실험제목
2. 이론적배경
3. 실험방법
4. 결과및고찰
5. 결론
6. 참고문헌본문내용
실험 1) Bulk capacitor의 주파수에 따른 C(Capacitance), D(tanδ) 측정
1. LCR meter, Capacitor를 직렬 연결한다.
2. LCR meter를 조정하여 1kHz~100kHz 까지 10kHz 간격으로 C, D 측정
실험 2) Bulk capacitor의 온도에 대한 C(Capacitance), D(tanδ) 측정
1. Hot plate 위에 Si oil을 담은 비커를 올린다.
2. LCR meter, Capacitor를 직렬 연결한다.
2. 상온 ~ 100℃ 까지 10℃ 간격으로 C, D 측정(이때 주파수는 1kHz로 고정)
3. △TCC=계산
실험 3) Chip capacitor의 주파수에 따른 C(Capacitance), D(tanδ), , TCC변화 측정
1. LCR meter, Capacitor를 직렬 연결한다.
2. 변수 측정을 위해 Chip capacitor를 납땜한다.
3. LCR meter를 조정하여 1kHz~100kHz 까지 10kHz 간격으로 C, D, , TCC 측정
- MLCC( Multi layer ceramic condencer : 적층세라믹콘덴서)의 단면확인을 위해 SiC paper로 연마,
- 현미경으로 구조 관찰 후 계산
실험 4) Chip capacitor의 온도에 대한 C(Capacitance), D(tanδ) , TCC변화 측정
1. Hot plate 위에 Si oil을 담은 비커를 올린다.
2. 변수 측정을 위해 Chip capacitor를 납땜한다.
3. LCR meter, Capacitor를 직렬 연결한다.
4. 상온 ~ 100℃ 까지 10℃ 간격으로 C, D, , TCC 측정(이때 주파수는 1kHz로 고정)
- MLCC( Multi layer ceramic condencer : 적층세라믹콘덴서)의 단면확인을 위해 SiC paper로 연마,
- 현미경으로 구조 관찰 후 계산참고자료
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· 삼성반도체이야기 : http://www.samsungsemiconstory.com태그
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