열화학기상증착법(Thermal-CVD)과 수열합성법(Hydrothermal solution)을 이용하여 각 기판위에 나노와이어 성장

목차

I. 열화학기상증착법(Thermal-CVD)과 수열합성법(Hydrothermal solution)을 이용하여 각 기판위에 Nanowire grwoth.
1. Introduction
2. Experimental section
3. Result and characterization
4. Conclusion

II. Sputtering에 의한 Carrier Gas에 따른 박막증착 비교
1. Introduction
2. Experimental section
3. Result and characterization
4. Conclusion

본문내용

Introduction
스퍼터링(Sputtering)은 집적회로 생산라인 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일종으로 비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 이온화된 아르곤 등의 가스를 가속하여 target에 충돌시키고, 원자를 분출시켜 웨이퍼나 유리 같은 기판상에 막을 만드는 방법을 뜻한다. 스퍼터링 장비에서는 타겟쪽을 음극(Cathode)로 하고 기판쪽을 양극(Anode)로 한다. 스퍼터링 공정을 진행하는 장비를 스퍼터 혹은 스퍼터링 시스템이라 한다.
원리는 먼저 챔버 내부를 진공에 가깝게 만든 후에 낮은 압력의 Ar(아르곤)gas 또는 O2(산소)gas를 챔버 내로 흘려준다. 그런 다음 음극에 (-)전압을 가하면 음극(증착할 대상물질인 타겟이 장착된)과 양극(웨이퍼나 유리 같은 기판) 사이에 전기장이 형성되고 이 전기장에 노출된 Ar 가스는 Ar+로 이온화되면서 기판과 음극 간에 플라즈마가 발생한다. 음극에 장착되어 있는 타겟 물질의 표면은 기판보다 음전위로 유지되므로, Ar+(아르곤이온)은 타겟 표면으로 가속 후 충돌되고, 소스원자와 분자들은 target표면에서 방출되어 기판으로 날아가 증착(deposition)이 된다. 이렇게 기판 위에 붙은 물질이 성장하게 되어 만들어진 얇은 막을 박막(Thin Film)이라고 한다.

Experimental section
먼저 saphire기판을 1cm x 2cm로 2개 자른다. 이렇게 자른 saphire기판을 울트라소닉을 이용하여 에탄올, 메탄올, 3차 증류수의 순서로 각각 5분씩 세척하고 건조시킨다.(3차 증류수 받는법 : 기계 전원 On -> 숫자가 5이하로 되면 Washing을 누른다 -> 첫 컵은 고여있었기 때문에 버리고 다음 컵을 받는다. 끌때는 반대로.) 다음으로 시편을 챔버에 넣고 셔터를 닫는다(셔터는 고진공에서 닫히고 플라즈마의 증착을 막는다.) 그 후, 저진공 벨브를 끝까지 열고 반바퀴 잠그고 3 x 10-1승torr이 되면 저진공 벨브를 닫고 우리가 원하는 진공은 더 높은 진공이기때문에 고진공 벨브를 연다.

참고자료

· 없음