[기초전기전자실험] GE, SI, 제너 다이오드 특성 실험 <A+받은 자료>

소개

A+ 받은 보고서입니다. 잘해서 교수님이 수업자료 및 시험출제자료로 참고하셔서 쓰셨습니다. 이론과 과제물까지 잘 작성하여 넣었습니다.

목차

1. 실험목적
2. 실험관련 이론
3. 실험과정 및 실험결과
4. 오차원인 분석 및 고찰

본문내용

1. 실험목적
실험1 게르마늄(Germanium)과 실리콘(Silicon) 다이오드 특성에 대하여 알아본다.
실험2 제너 다이오드의 특성에 대하여 관찰하고 또한 제너 다이오드를 전압 안정기로 응용하는 방법을 학습한다
실험3 OP AMP의 OffSet전압과 그의 영향에 대한 실험을 해본다.
OP AMP의 동작원리와 반전 증폭기에 대하여 알아본다.

2. 실험관련 이론
■ 다이오드의 기본적인 특성
다이오드는 한쪽 방향(Anode-> Cathod)으로의 저항이 낮고, 반대 방향으로는 매우 큰 저항을 가지는 반도체 소자이다. 일반 접합 다이오드는 n형 반도체와 p형 반도체가 접합되어있다. 때문에 다이오드는 한 소자 내에서 각 부위에 따라 전하를 전달하는 Majority Carrier가 다르다. n형 반도체에서는 electron<전자>이 전하를 전달하며, p형 반도체에서는 hole<정공>이 전하를 전달하게 된다. 이때, 접합 부분에서 electron과 hole의 결합이 일어나는 Depletion 영역이 생기게 되는데, 이 부분에서는 Carrier의 수가 급격히 감소하여, 부도체와 유사하게 된다.
반면, 여기에 Bias를 연결하게 되면, 전위에 변화가 생겨 잘 결합해있던 Carrier가 결합을 깨고 electron과 hole로 나뉘어 이동하게 되는데, Forward Bias의 경우에는 각자의 Carrier를 교환하는 방법으로(Carrier가 Source 측에서 계속 제공되므로 전류가 흐른다.), Reverse Bias의 경우에는 각자의 Carrier가 나뉘는 방향으로 이동이 일어난다.(Carrier가 Source 측에서 공급될 수 있지만, 접합간의 교환이 일어나지 않아 전류가 흐르지 못한다.)
다이오드의 이러한 특성을 이용하여, 보통 정류 회로를 만드는데 쓰이며, 교류 신호를 Saturation 하는데 이용할 수도 있다.

▶ 모르는 용어 정리
- Anode : 전류가 흘러들어가는 쪽의 전극
- Cathod : 전자가 흘러들어가는 쪽의 전극

참고자료

· 없음