06-전자회로실험-예비보고서

최초 등록일
2015.12.24
최종 저작일
2015.09
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목차

1. 실험 목표
2. 예비 이론
3. 예비 보고 사항
4. 실험 과정
5. 참조 문헌

본문내용

1. 실험 목표
MOSFET 소자를 이용한 공통 소스 증폭기의 동작 원리를 이해하고 설계할 수 있다.
MOSFET 소자를 이용한 공통 소스 증폭기의 입력 - 출력 특성을 알고, 전압 이득을 구할 수 있다.

2. 예비 이론
(1) 공통 소스 증폭기
① 동작 원리 : 공통 소스 증폭기는 게이트 - 소스 간의 전압을 입력으로 하고, 드레인 - 소스 전압을 출력으로 한다. 아래의 [그림 1]에 회로를 구성하였으며, 소신호 분석을 할 경우 게이트 - 소스 사이의 소신호 입력 저항에 비례하는 전류가 드레인에 흐르게 되며, 출력쪽의 저항 에 의해 전압으로 바뀌면서 전압을 증폭하게 된다.

<중 략>

(4) 실험회로 1에 제시된 공통 소오스 증폭기의 전압 이득, 입력 임피던스 및 출력 임피던스를 이론적으로 계산하고, Pspice 모의실험 결과와 비교하시오.
- 실험 회로 1에서 입력 임피던스는 이론적으로 게이트 전류가 0A이므로 무한대이고, 출력 임피던스 는, 이다. 전압 이득을 구하면, 으로 나타낼 수 있다. 여기서 필요한 , 의 값은 소자값으로 주어지지 않아 구체적으로 계산할 수 없으며, 계산할 경우 Pspice의 결과와 부합하도록 나올 것이다.

<중 략>

(1) 실험 회로 1에서 값을 12V, 값을 0V, 값을 4V로 두고, 저항 값이 2kΩ인 경우 의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정하시오. 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(, ) 및 전류()를 구하고, [표 9-1]에 기록하시오. 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.
(2) 값을 0V, 전압을 0V, 12V, 3V ~ 9V는 500mV 간격으로 변화시키면서 의 DC 전압을 측정하여 [표 9-2]에 기록하고, 입력-출력( - ) 전달 특성 곡선을 [그림 9-12]에 그리시오.
(3) 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 [표 9-3]에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험 회로 1의 공통 소오스 증폭기의 이론적인 전압 이득을 구하시오.

참고 자료

이강윤 지음 [단계별로 배우는 전자 회로 실험] 제 1판 한빛 미디어 p.177 ~ 190 (공통 소오스 증폭기)
Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith 지음 [Microelectronic Circuits] 제 6판 한티 미디어 p.378 ~ 498 (MOS 전계 효과 트랜지스터 (MOSFET))

자료후기(3)

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