TFT(Thin Film Transister) 실험레포트

목차

1. 실습 목적
1) TFT 소자의 구조
2) Glass 세정 방법
3) 증착법의 종류와 Sputter를 이용한 Gate증착
4) Photolithography공정에 대해 이해한다.
5) 완성된 TFT 소자의 측정

2. 실험 고찰

본문내용

1. 실습 목적
1) TFT 소자의 구조를 공부한다.
2) Glass 세정 방법 및 Gate 증착에 대해서 이해한다.
3) Gate 증착시 Gate 증착 물질과 Sputter의 원리에 대해서 이해한다.
4) Photolithography공정에 대해서 이해한다.
5) 완성된 TFT 소자의 측정을 실시한다.

1) TFT 소자의 구조
<그림>

TFT 소자는 크게 Gate, 절연막, IGZO, ES, Drain, Source, 보호막, ITO로 이루어져 있다.
Gate전극은 밝기에 영향을 미치지는 않지만 화소의 ON, OFF를 조절하는 역할을 하고 있다. Gate는 공정을 할 경우에 Sputter 공정을 많이 사용하며 재료로 열안정성이 높으며 저항이 작은 금속을 사용한다.
절연막은 Gate에 가해진 전압이 직접적으로 Drain과 Source에 영향을 끼치지 않게 하며, ON, OFF 조절만을 담당할 수 있도록 하는 역할을 하고 있다.

참고자료

· 없음