이미징기술학(포토레지스트)[1]

목차

1 감광성 재료의 정의
2 감광성 재료의 역사
3 감광성 재료의 특징
4 감광성 재료의 원리
5 감광성 재료의 구성
6 포토레지스트의 분류
7 포토레지스트의 요구특성
8 포토레지스트의 화학

본문내용

광의의 의미의 감광재료(photosensitive materials)는 일반적으로 광 및 방사선 에너지의 작용으로 물리적․화학적 변화가 일어나는 유․무기 조성물 또는 광 조사에 의하여 상(image)을 형성되는 조성물 계를 지칭한다. 이것은 사진공업에 이용되는 은염(silver halide) 감광재료와 electrophotographic의 광전도체 재료와 전자산업에 응용되는 감광성 고분자 조성물을 포함한다. 그 중에서 감광성 고분자 (photosensitive polymer, photopolymer) 물질은 빛에 감응하는 특이한 물성을 갖는 대표적인 광 기능성 재료로서 각종 정밀 전자/정보 산업에 실용화되었으며 현재의 발달된 첨단기술 산업에 중요하게 이용되고 있다.

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빛에 반응하여 상을 형성하는 고분자와 고분자 시스템은 흥미롭게 연구되고, 첨단기술 산업에 중요하게 이용된다. 감광성고분자에 의해 상을 만든 후 지지체나 다른 물질로 상을 전사하는 것을 포토리소그래피 (photolithography)라고 부른다. 전통적으로 포토리소그래피 공정은 인쇄 산업, 미세 광 가공 등에 상업적으로 엄청난 영향을 미쳤다. 그리고 최근 전자 산업의 혁명은 직접회로 (integrated circuit)에 미세 형상을 그릴 수 있는 포토폴리머 (photopolymer)의 개발에 의해 가능하였으며, 마이크로 리소그래피에 대한 응용은 지난 몇 년 동안 감광성 고분자 대부분의 연구에 있어 기동력이 되어왔다.

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248nm 영역에서 투명하며 안정된 재료로서 사용되고 있었던 PHOST계 레진이 ArF (193nm) 영역에서는 빛을 흡수하게 됨으로써 더 이상 레지스트로서의 기능을 할 수 없게 되기 때문에 새로운 ArF용 레지스트 재료가 필요하게 되었다. 일반적으로 ArF용 레지스트 고분자가 갖추어야 할 조건들은 투명성, 건식 에칭 내성, 기질에 좋은 접착특성, 그리고 전형적인 현상제에 현상되어야 하는 것이다. 그 중에서 ArF 레지스트 재료의 가장 큰 문제점의 하나로서 건식 에칭 내성에 대한 문제가 대두되었고, 이것에 대한 정도를 나타낼 수 있는 식들이 발표되었는데, Ohnishi의 고리파라미터를 들 수 있다.

참고자료

· Imaging Systems, K.I.J., R.E.J., 1976
· PHOTOPOLYMERISATION AND PHOTOIMAGING SCINCE AND TECHNOLOGY, Norman S. Allen, BSc, phD, DSc, 75-113
· 반도체 초미세 공정화와 F2(157nm) 포토레지스트용 고분자의 개발 동향, 김재현, 김덕배, 고분자 과학과 기술, 제 14권, 1호, 2003년 2월
· 고집적 반도체 미세 가공용 레지스트, 안광덕, 고분자 과학과 기술, 제 1권, 6호, 1990년, 11월
· 인쇄회로기판 가공용 필름 포토레지스트, 김진사, 한국화상학회, 제4권, 1호, 71-75, 1998