8차 FET 바이어스 회로(Ispice)

소개

2014-1학기 전자회로및실습1
8차 FET 바이어스 회로 과제입니다.

목차

1. 목적
2. 이론배경
3. 시뮬레이션
4. 실험 및 고찰

본문내용

FET(Field Effect Transistor) : 전계 효과 트랜지스터
FET는 매우 높은 입력 저항을 갖는 반도체 소자로서 입력 전류는 거의 0에 가까운 값을 갖게 된다. 따라서 출력 전압은 입력 전류가 아닐라 입력 전압이 증폭되어 나타나게 되므로 FET는 전압제어 증폭소자라고 할 수 있습니다.
또한, 입력 전류가 거의 0이 되므로 이로 인한 전력소모도 거의 0이 됨으로써 FET를 이용한 IC회로는 전력소모가 매우 적은 특징을 갖게 되어 최근 전자회로 시스템 응용에 그 범위를 급속히 확대하고 있습니다.

FET는 크게 MOSFET와 JFET의 두 종류로 나눌 수 있습니다.
TR처럼 FET도 N형과 P형이 있으며, 구조에 따라서 접합형(Junction)과
MOS형(Metal Oxide Semiconductor)이 있습니다.
접합형은 JFET라 부르며, MOS형은 MOSFET라 부릅니다.
JFET는 소신호용으로 사용되고 있으며, MOSFET는 대전력용과 집적회로(IC)용으로 많이 사용되고 있습니다.
간단하게 FET의 특징을 조사하면 아래와 같습니다.

FET의 기본특성
- TR : 전류제어소자
- FET : 전압제어소자 (JFET, MOSFET 두 종류가 있다)

TR에 비해서 FET는
- 입력임피던스가 높다
- 전류성 노이즈가 매우적다
- 혼변조 일그러짐이 거의 발생하지 않는다
- 온도계수를 0에 설정할 수 있다
- 열폭주하지 않는다
- 스토리지타임(ts)이 없다
- 고속 스위칭이 가능하다
- 드레인과 소스간에는 극성이 없다

<중 략>

회로에서 전압이 다른 둘 이상의 전원을 사용하느냐 아니면 단일 전원을 사용하느냐 하는 것은 매우 중요한 문제입니다. 왜냐하면 회로를 구동시키는데 필요한 직류 전원을 위해서는 정류 회도 등 추가적인 회로가 필요하기 때문입니다.

아래의 그림과 같은 기본 바이어스 회로에서 같이 트랜지스터는 베이스-에미터 간은 순방향 바이어스, 콜렉터-베이스 간은 역방향 바이어스를 필요로 하며, 이를 위해서 베이스 전원 VBB와 콜렉터 전원 VCC가 필요하며, 또한 VCC ▶ VBB의 조건이 성립되어야 하므로 2개의 전원이 필요합니다.

참고자료

· 없음