논리회로실험 실험9 ram 결과보고서

목차

1. 실험과정 및 결과
2. 고찰

본문내용

- 74HC00과 74HC03을 사용하여 2BIT RAM을 결손도에 설계하고 설계를 참고하여 브레드보드에 회로를 설치했다.
- 주의사항
• 한번에 하나의 bit(A or B)에 하나의 데이터(1 or 0)만 써야 한다.
• Write 과정을 한 이후에는 접지, Read는 선택한 상태에서 값을 읽는다.
- 실험과정
• OE0을 0에 연결하고 WR1 In0을 1에 연결하여 A에 1을 write한다.
• OE0을 1에 연결하여 A를 read한다.
• OE0을 0에 연결하고 A에 0을 write시킨다.
• 같은 방법으로 B에서 반복한다.

<중 략>

• 실험에서 ‘0011’ 어드레스를 입력한 후에 WE에 0을 입력하여 write 모드로 만들었다. 그 이후에 ‘1001’ word를 입력하여 ‘0011’ 어드레스에 정보가 write되게 했다.
• WE에 다시 1을 입력하여 read모드로 바꾸고 ‘0011’ 어드레스를 유지하면 방금 입력한 ‘1001’ 정보가 LED에 표시되었다.
• 다른 경우로 ‘1011’ 어드레스에서 WE을 0에 연결하고 ‘0110’정보를 write했다. 그 다음 WE를 1에 연결하면 방금 입력한 ‘0110’정보가 출력된다.
• 다음으로 ‘0011’ 어드레스에 저장한 정보 ‘1001’이 남아있는지 확인하기 위하여 WE을 1에 연결한 상태에서 ‘0011’어드레스를 입력하면 앞서서 write했던 ‘1001’정보가 다시 출력된다.
• 이 회로의 출력은 active low 이므로 LED는 역방향으로 연결해야된다.
• read상태에서는 정보입력에 상관없이 자유롭게 어드레스를 바꿔가며 내부 정보를 확인할 수 있다.
• WE 1인 상태에서는 데이터 입력에는 상관없이 항상 어드레스에 따른 저장된 정보만 출력하게 된다.
• 휘발성 실험에서 앞서서 실험한 회로 그대로 상태에서 전원만 끄고 다시 켜보면 전에 그 주소에 입력했던 정보는 사라지고 그 자리에 예상 할 수 없는 결과 값을 가지게 된다.
• 다만 휘발성을 나타내는 대신 쉽게 데이터를 새로 write하거나 read할 수 있다.

참고자료

· 없음