Lithography Technology (반도체 리소그래피)

소개

반도체 Lithography 기술에 대한 레포트입니다.

실제 촬영한 사진 자료와 함께 작성한 것이라 큰 도움이 될 것입니다.

목차

1. 서론
2. 실험 장비
3. 실험 방법
4. 실험 과정
5. 심화 및 고찰

본문내용

1. 서론
일반적으로 Lithography라 함은 Patterning을 하는 공정명칭으로서 포토 공정과 에칭 공정으로 나눌 수 있다. 그러나 근래에 와서는 Lithography의 의미는 일반적으로 포토 공정만을 지칭하고 있다. 포토리소그래피는 원하는 회로설계를 원하는 유리판 위에 금속패턴으로 만들어 놓은 마스크(mask)라는 원판에 빛을 쬐어 생기는 그림자를 웨이퍼 상에 전사시켜 복사하는 기술이며, 반도체의 제조 공정에서 설계된 패턴을 웨이퍼 상에 형성하는 가장 중요한 공정이다. 이는 다시 세부적으로 Lighit Source에 따른 Optical과 Non-Optical Lithography로 구분되고 있다. 반도체 공정에서의 Lithography는 웨이퍼위의 다양한 물질에 Curcuit Pattern을 형성시키는 것을 목적으로 Substrate위에 Resist라는 Polymer 물질을 도포한 후 패턴의 원판 역할을 하는 마스크를 이용하여 빛을 투과시켜 Resist에 광반응을 일으킨 후 현상하여 Resist 패턴을 형성시키고, 이 Resist를 Barrier로 Substrate를 에칭하여 최종적으로 원하는 패턴을 구현하는 기술이다. Lithography는 라틴어의 lithos(돌)+graphy(그림, 글자)의 합성어인 석판화 기술로서 인쇄기술로 쓰이다가 현재는 반도체 노광공정 기술을 통칭하는 이름으로 쓰이고 있으며 반도체 미세화의 선도 기술이다.

<중 략>

노광과 bake가 끝난 감광제는 일반적인 사진현상과 마찬가지로 현상 과정을 거친다. 일반적인 감광제의 현상액은 대부분 수용성 알칼리 용액을 사용하고 있으며 주 원료로는 KOH와 TMAH 수용액을 사용하고 있다. 일반적인 경우 현상 시간은 약 60초 정도이나 감광제의 두께가 낮아지면 현상 시간을 줄이는 것이 유리하며, 최근의 기술로 구현하는 미세 패턴의 경우 약 100nm 두께의 PR이 사용되기도 하며 약 10초 정도의 짧은 현상 시간을 가진다.
현상이 끝나면 현상액을 제거하고 필요에 따라 마지막으로 hard bake를 수행한다. 우선은 DI Water로 감광제를 린스하여 잔여 감광제를 제거한 후 건조를 하며, 이후 감광제의 변형이 일어나지 않도록 pr의 유리질 천이온도 보다 조금 높은 온도에서 bake를 한다. Hard bake 단계에서 노광이 완료된 감광제의 roughness가 개선되는 현상을 보인다.

참고자료

· 없음