[발광디스플레이실험] Photolithography

목차

실험 목적
실험 이론
실험 방법
실험 결과
실험 고찰

본문내용

실험 목적 : Photolithography 공법에 대해 익히고, Photolithography시 etching time과 PR-exposure time에 의한 패턴의 상태 변화 정도를 알아 볼 수 있다.
실험 이론 :
박막 제조 공정
1. 세척(Cleaning)
1) 유기 세척
2) 무기 세척
2. 증착(Deposition)
1) Sputtering : DC 또는 RF magnetron을 이용하여 증착하고자 하는 물질의 target으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 공정이다. 옮겨 붙이고자 하는 물질은 크게 conductive(주전도층), adhesive(접착층), resistive(저항층), dielectric(유전층), barrier 등으로 나뉜다.
2) Evaporation : evaporation의 방법으로는 thermal evaporation과 e-beam evaporation, 그리고 이 둘을 조합하는 방법이 있다.

<중 략>

film mask를 고정시키기 위해 mask vacuum을 해 주고, wafer 를 올린 후 vacuum을 잡아주어 substrate 와 mask pattern 이 고정되게 한다. 이후 z-up down 버튼으로 substrate 와 mask 를 밀착 시킨 후 uv를 조사 한다.
Develop(현상) 용액에 uv 조사된 glass를 담가 uv가 조사된 부위를 씻어 낸다.
씻어 낸 후 glass에 남은 develop 용액에 의해 추가로 씻어나는 것을 막기 위해 세척 한다.
그 후 Hard bake(하드 베이크)를 하여 패턴이 완전히 단단히 굳도록 한다. 130도의 온도에서 10분간 baking 한다.
optical 특성을 관찰한다.
식각(Etching)공정을 함으로써 PR이 존재하지 않는 부위의 MoW를 제거 한다.

참고자료

· 없음