[전기공학실험3/ARM7] 결과5 - NAND플래쉬메모리

소개

전기공학실험3 (ARM7 코어 프로그래밍)
서울대학교 전기공학부
성원용 교수님 강좌
2002년 2학기

정답이 아닐 수 있으니 참고만 하세요.

목차

1. 실험 결과 보고를 시작하며
(1) 실험 후기
(2) 실험을 통해 얻은 것
(3) 결과 보고서에서 다루는 내용

2. 결과 보고 사항
(1) Flash Memory의 page를 program하는 함수를 제작한다.
(2) main 영역의 512byte data의 parity를 계산하여 spare 16byte를 만들어 내는 함수를 만들어라.
(3) int FlashWritePage2(unsigned int addr, const insigned char* p_buf) 함수를 구현한다.
(4) int FlasgReadPage2(unsigned int addr, const insigned char* p_buf) 함수를 구현한다.
(5) SSFDC를 이용해서 32MB 플래시 메모리를 format하고, 임의의 text file (1kB 이상, test.txt)을 생성하는 SW를 작성하라. SSFDC를 이용해서 플래시 메모리의 test.txt 파일을 읽어서 LCD에 display하는 SW를 작성하라. (2)에서 작성한 SW와 번갈아가며 수행하여서 파일이 잘 작성되는지 확인한다.

3. 실험 과정 및 결과 해석

본문내용

1. 실험 결과 보고를 시작하며
(1) 실험 후기
먼저, 보고서가 세로가 아니라 가로로 놓인 종이에 쓰이게 된 것은, 뒤에 나올 소스 코드의 주석의 길이를 고려한 것임을 밝힌다. 우리도 처음에는 종이를 세로로 놓고 보고서를 썼으나, 코딩을 할 때는 1줄로 보이던 주석이 대부분 2줄 이상으로 처지게 되어 보기 흉한 면이 발견되었다. 그래서 다소 파격적일 수 있는 가로 방향의 종이를 택하게 된 것이다.
이번 보고서에서는 실험 전체에 걸쳐 예비 보고 사항에서 사용한 코드를 매우 많이 개량하여, 사실상 처음부터 새로 짠 것과 다름 없는 상황이다. 실험 시간에 실험을 끝내지 못한 조가 많았을 정도로, 뜻한 대로 잘 되지 않는 까다로운 실험이었다. 우리 조 역시 실험 시간에 완벽하게 실험을 끝내지 못했으나, 토요일, 일요일, 월요일 3일 동안 총 20여 시간에 걸쳐 재실험을 하여 기어이 성공해 내었다.
예비 보고서를 제출할 때만 해도 남들이 soee.net의 자료 등 짜 놓은 코드를 개량하는 방식으로 접근을 하였으나, 남들이 짜 놓은 코드 역시 잘못된 부분이 많아서 zero-base의 태도로 완전히 새로 프로그래밍하여 만족할 만 한 결과를 얻었다.

참고자료

· 서울대학교 전기공학부, <3학년 실험>
· 서울대학교 전기공학부, <3학년 실험 매뉴얼>
· Hennessy/Patterson , <Computer Organization and Design : the Hardware/Software Interface>
· http://soee.net/