확산(Diffusion) 공정

목차

확산의 목적
확산의 개념
원자의 확산 방법
대표적인 결함
도핑방법
확산의 종류

확산(Diffusion) 공정
확산의 조건
확산공정의 과정
초기 세척 및 etch
Process of Diffusion

Pre-Deposition
Pre-Deposition의 개념
Pre-Deposition 의 요소
Pre-Deposition 의 가변 계수
Pre-Deposition 의 과정
설비방식
2 단계 확산의 비교
2단계 확산의 이점
확산 공정의 종류
확산 장비의 종류
확산펌프
확산공정 모습

본문내용

확산(Diffusion) 공정
확산의 목적
확산의 개념
도핑방법
확산의 목적
PN접합을 만들기 위한 것
일정한 종류의 캐리어와 일정한 비저항을
얻기 위해
• 금속과 실리콘의 접촉 저항을 낮추기 위해
• 표면 전계 효과 소자의 특성 조절을 위해
• 캐리어의 재결합을 증가시켜서 고속의 포화 개폐 소자를 만들기 위해
• 소자 제조 과정에서 불순물을 제거하거나 게더링 하기 위하여 다른 불순물의 유도를 위해
확산의 개념
반도체 공정의 의미로서 확산이라 함은 전기로의 고온을 이용하여 고체 상태의 WAFER 표면에 필요한 불순물이나 산화막을 WAFER 표면에 주입시키는 것을 말한다. 전도성을 바꾸는 방법의 하나로 사용되어진다.
반도체공정에서는 액체간의 확산이 아니라 고체간의 확산이 이루어지며, 빠른 확산을 위해 환경을 고온처리 해주어야 한다.

참고자료

· 없음