Nanowire 기술동향 및 AlN nanowire by HVPE

소개

nanowire의 최신 기술동향 및 HVPE법을 이용한 AlN nanowire 성장법에 관한 레포트 입니다.

목차

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본문내용

최근 오늘날의 여러 산업 전반에서 중추적인 역할을 하는 실리콘 기반 반도체 기술의 선폭구현의 한계에 따라 bottom-up 공정이 그 대안으로 등장하였다. 외국의 선진연구그룹을 중심으로 관련 연구가 진행되고 있으며, 그 중 정보처리 및 표시소자 등 전자산업을 진일보시킬 수 있는 재료로 평가받는 3-5족 반도체 화합물은 뛰어난 물리, 화학적 특성에 기인하여 차세대 반도체 물질로서 매우 각광을 받고 있다.
3-5족 반도체 화합물 중 AlN은 microelectronic package, power transistors, heat sink, field emission devices, Surface Acoustic Wave(SAW) application 등 다양한 적용가능성을 갖는다최근에 전자 현미경 기술이 발전함에 따라 나노 물질을 다루는 나노기술이 발전하고 있다. 나노 기술은 물질의 크기가 100nm이하인 나노물질을 다루는 기술로, 실험실에서 다룰 수 있는 물질의 크기가 마이크로미터에서 나노미터로 접어들면서 우리가 그동안 경험하지 못했던 새로운 물리적 특성들이 발현되는데 이러한 새로운 특성들을 이용해서 나노미터 크기의 다양한 나노디바이스들을 만들어 낼 수 있을 것으로 예상하고 있다. 또한 이러한 나노 기술을 최근 정보처리 및 표시 소자와 보호소자용으로 사용가능한 3족 질화물 반도체 재료 GaN, AlN, InN 등에 적용하여 전자산업에 진입시킬 수 있을 것으로 예상하고 있다. 이와 같은 3족 질화물 반도체는 뛰어난 물리, 화학적 특성에 기인하여 자외선 영역에서 청/녹색 까지의 발광소자(Light Emitting Diode) 및 레이저 다이오드(Laser Diode)와 자외선 검출기 등의 광소자

참고자료

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