[발광디스플레이 실험] CNT emitter의 전기적 특성 측정

소개

2011년 2학기 경희대학교 정보디스플레이 학과 발광디스플레이 실험 보고서입니다. A+ 받은 자료입니다.

목차

1. 실험 제목
2. 실험 날짜
3. 실험 목적
4. 실험 도구 및 실험 방법
5. 실험 장비의 작동 원리 및 실험 이론
6. 실험 결과
7. 실험 결과 토의

본문내용

강한 전계가 가해졌을 때 평판 금속 및 반도체 표면에서 진공 중으로 전자 (cold electron)가 tunneling한다는 것은 이미 양자역학에서 예견된 사실이었으며, 이는 전자의 image potential과 가해진 전계에 의한 potential energy의 합으로 설명될 수 있다. 특히 5 kV/㎛ 이상의 강한 전계가 표면에 가해지면 그림9에서 볼 수 있는 바와 같이 total potential이 변해 전자의 tunneling이 가능해진다. 그러나 평면 emitter의 FED 적용 시 5 kV/㎛이하의 field에서 대부분의 metal은 whisker 형성 등에 의한 vacuum breakdown 등의 문제가 발생되기 쉬우므로, 전계가 높게 집중되는 sharp tip emitter geometry에 대한 연구가 진행되어졌다. 이런 형태의 emitter에 가해진 전계와 방출되는 전자에 의한 전류밀도는 Fowler-Nordheim 식으로 기술된다. 전자 tunneling 길이 및 투과도는 emitter의 일 함수(work function) 및 인가된 전기장과 밀접한 관계가 있으며 아래와 같은 식으로 표현된다.

참고자료

· 없음