MOS　Diod 설계

목차

없음

본문내용

1. 서 론
이번 설계는 특성을 이해하고, ideal MOS구조를 설계하는데 필요한 Si의 도핑농도와 metal electrode를 하는것이다. Metal-SiO-Si 을 이용하여 Ideal MOS diode를 제작하고자 할때, n-Si과 p-Si 각각의 기관에 대하여 metal의 종류를 선택하고,ideal MOS diode의 조건을 만족하기 위한 n-Si과 p-Si의 도핑 농도를 설계해야 한다. 먼저 ideal MOS 다이오드가 되기 위해서는 metal의 workfunction과 Si에서의 workfuction이 같아야한다. 즉 값과 값이 같아야 한다．밴드다이어그램을 그려보면 아래와 같이 나타난다．추가적으로 Oxide에 흐르는 전류는 없어야 이상적인 다이오드 설계가 가능하다
V=0 V=0
2. 본 론
[1] 설계과제의 목표:
1. MOS diode의 특성을 이해하고, ideal MOS구조를 설계하는데 필요한 Si의 도핑농도와 metal electrode를 설계한다.
2. Metal-SiO-Si 을 이용하여 Ideal MOS diode를 제작하고자 할때, n-Si과 p-Si 각각의 기관에 대하여 metal의 종류를 선택하고,ideal MOS diode의 조건을 만족하기 위한 n-Si과 p-Si의 도핑 농도를 설계한다.
[2] MOS 설계공정
MOS는 Metal 과 Oxide 그리고 Si로 구성된다.
설계공정에서 스펙설정이 중요한 위치를 차지하는데 먼저 ideal한 Mos를 만들기 위해서는 전류가 통하지 않는 인슐레이터를 Metal과 Si사이에 결합하고 Metal과 도핑한 Si의 Workfuction이 같게 만들어 주어야한다. N-type일 경우는 <<+ 사이에 오는 Metal을 정해주고 P-type의 경우에는 +<<+ 사이에 오는 Metal을 정해주면 쉽게 설계가 가능하다. 또 Workfuction을 같게 만들기 위해서는 =exp[-(-)/] = 을 사용해 각각의 type에 맞게 도핑을 해주어 ideal한 MOS를 만들어 준다.

참고 자료

없음