반도체 집적회로와 소자기술

소개

반도체 집적회로와 소자기술

목차

◆반도체 집적회로 기술

◆집적회로 제작 공정: 실리콘 CMOS 공정

◆ 반도체 소자공정
1. 실리콘 단결정 성장 (Monocrystalline Growth)
2. 규소봉 절단(Wafer Slicing)
3. 표면 연마 (Wafer Lapping & Polishing)
4. 회로설계 : 컴퓨터 시스템(CAD)을 이용해 전자회로 Pattern을 설계한다.
5. 마스크 제작
6. 산화 (Oxidation) : 고온(800~1200도) 에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면에 뿌려 실리콘 산화막(SiO2)를 형성시킨다.
7. 감광액 도포 (Photoresist Coating)
8. 노광 (Exposure)
9. 현상 (Develop &Bake)
10. 식각 (Etching)
11. 이온주입 (Ion Implantation)
12. 화학 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition)
13. 금속배선 (Metal Deposition)
14. 웨이퍼 자동선별 (Electric Die Sorting)
15. 웨이퍼 절단 (Sawing)
16. 칩 접착 (Die Attatch)
17. 금속 연결 (Wire Bonding)
18. 성형 (Molding)
19. 최종검사 (Final Test)

본문내용

◆반도체 집적회로 기술
반도체 집적 회로 기술이란 다수의 트랜지스터와 저항, 커패시터 등의 수동 소자를 하나의 반도체 칩에 구현하여 원하는 동작을 수행하는 회로를 제작하는 기술을 말한다. 한 장의 웨이퍼로부터 수십 개에서 수천 개의 칩이 반도체 공정 기술을 이용하여 동시에 생산된다. 포드 사에 의해 개발된 1차원적인 대량 생산 기법이 산업 사회의 특징이라면 수천 개의 똑같은 제품을 동시에 생산하는 집적 회로 기술은 정보화 사회를 특징짓는 새로운 생산 기법이다. 최초로 개발된 반도체 제조 기술은 한 변의 길이가 1∼2 mm인 실리콘 조각에 하나의 트랜지스터를 구현하였다. 텍사스 인스트루먼트사와 페어차일드 반도체사에서 생산되던 초창기의 집적 회로는 몇 개의 트랜지스터와 저항, 커패시터들을 집적하여 생산되는 간단한 논리 회로나 아날로그 증폭 회로의 수준이었다. 하지만 수십 년 동안 눈부신 발전을 거듭한 결과, 현재 대량 생산되는 64M DRAM에는 6천4백만 개 이상의 트랜지스터와 커패시터가 집적되어 있다.

많은 소자를 집적하면 전자 부품과 이를 이용한 제품들을 더 작고 가볍게 만들 수 있다. 전력 소모는 더 작아지며 동작 속도도 빨라진다. 뿐만 아니라 집적도를 증가시킬수록 더 값싸게 생산할 수 있게 되어 가격 면에서도 경쟁력이 커진다. 반도체 제조 공정은 일괄 공정이므로 반도체 웨이퍼 한 장을 가공하는 비용은 웨이퍼의 크기에 상관없이 거의 일정하다. 따라서 집적도를 높여 같은 크기의 웨이퍼 한 장에서 보다 많은 칩을 생산하고, 보다 큰 웨이퍼를 이용함으로써 동시에 더 많은 칩을 생산해 내는 것이 유리하다.

참고자료

· 없음