[전자회로실험] MOSFET 소스 공통 증폭기 예비보고서

소개

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판매자는 고려대학교 공과대학 재학생입니다.

학과 평균평점 : 4.2
전자회로실험 성적 : A+

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- 전자회로실험 예비레포트 기준 -
A+등급 : PSpice를 이용한 예상 회로 구성 및 예상 시뮬레이션 결과 첨부, 내용 완벽 정리 (가격 1400원)
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이 레포트의 등급은 ■A+등급■ 입니다.

목차

① JFET / MOSFET

② Enhancement MOSFET

③ Depletion MOSFET

④ 각 FET별 차이점

⑤ 분압기 바이어스

⑥ 자기 바이어스

⑦ MOSFET 바이어스

⑧ MOSFET 소스 공통 증폭기 회로

본문내용

① JFET / MOSFET
◆ JFET(Junction FET)
☞ 역방향 바이어스 pn 접합으로 채널 전류를 제어하는 FET

◆ JFET와 MOSFET의 차이는?
☞ JFET은 동작에 있어 항상 역방향 바이어스가 되어야 한다. 즉, gate 전압이 음전압이므로 회로의 응용 및 설계에 불편을 가져다주는 경우가 많다. (전원의 추가 인가 등)
MOSFET의 바이어스는, 항상 역방향 바이어스여야하는 JFET과 차이가 있다. 즉, 조건에 따라 역방향 바이어스가 아니더라도 동작한다.
또한, MOSFET은 JFET보다 훨씬 더 큰 입력 임피던스를 갖는다.

◆ MOSFET의 종류
☞ MOSFET은 제작 방식에 따라 디플리션(depletion-공핍)형 또는 인핸스먼트(enhancement-증가)형으로 구분된다.


② Enhancement MOSFET
인핸스먼트형에서는 드레인과 소스 사이에 채널이 형성되어 있지 않고, N형 드레인과 소스는 P형 기판에 의해 분리되어 있다. 기판 위에 매우 얇은 SiO2막(절연막)이 형성되며, 그 위에 게이트로 작용하는 금속이 증착된다. 게이트, 드레인, 소스 및 기판에는 전극용으로 오믹 접촉이 형성된다.
게이트가 FET의 기판으로부터 절연되어 있기 때문에, 절연 게이트 FET(IGFET - Insulated Gate FET)라고도 한다. 게이트와 기판은 SiO2 절연막에 의해 분리된 커패시터의 전극판 역할을 한다. 게이트가 기판에 접속된 소스에 대해 (+)이면 커패시터는 충전된다. 게이트가 (+)이므로 드레인과 소스 사이의 반도체 표면에 음전하(전자)가 유도되어 채널이 형성되고, 소스-드레인 회로에 전류가 흐르게 된다.

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참고자료

· 없음