[전자회로실험] MOSFET 소스 공통 증폭기 결과보고서

소개

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판매자는 고려대학교 공과대학 재학생입니다.

학과 평균평점 : 4.2
전자회로실험 성적 : A+

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1. 현재 저는 전자회로실험 과목 뿐만 아니라 물리실험, 화학실험, 전기회로실험, 디지털시스템실험 등 다분야에 걸친 실험 과목 레포트를 등록해 두었으며, 검증된 퀄리티로 많은 분들이 찾아 주시고 있습니다. 모교분들은 물론이고 다른 학교 분들께도 최고의 자료가 될 것입니다.

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3. 판매등록 외에는 어떠한 경로로도 공유하지 않았습니다. 다른 경로의 소스 유출 위험은 거의 없다고 보시면 됩니다.

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- 전자회로실험 결과레포트 기준 -
A+등급 : PSpice를 이용한 회로 구성 첨부 혹은 실험 결과 사진(오실로스코프 등) 첨부, 내용 완벽 정리 (가격 2000원)
A등급 : PSpice를 이용한 회로 구성 첨부 혹은 실험 결과 사진(오실로스코프 등) 첨부, 내용 간략 정리 (가격 1800원)
B등급 : PSpice를 이용한 회로 구성이 필요하지 않을 정도로 회로가 간단한 실험일 경우, 핵심 내용 요약 정리 (가격 1500원)

이 레포트의 등급은 ■A+등급■ 입니다.

목차

① 드레인 특성

② 소스 공통 증폭기

본문내용

① 드레인 특성

위의 사진은 실제 실험 구성 회로와, 시뮬레이션의 예상 드레인 특성 곡선이다.
실제 실험에서 사용한 MOSFET과 시뮬레이션에서 사용한 MOSFET이 다르기에 절대적 수치에는 오차가 있을 수 있으나, 대체적인 경향성은 비슷하게 도출되리라 기대된다.

아래에 실제 실험으로 얻은 데이터를 표로 나타내었다.

...

표를 그래프로 나타내면 위와 같다. 실험적으로 도출된 드레인 특성 곡선이다.

대체적인 경향성은 시뮬레이션과 비슷하게 도출되었으나, 두가지 차이점이 존재했다.
먼저 VGS가 음의 영역일 때 VGS의 크기는 매우 비슷한 작은 값을 가진다는 것이었다. VGS가 양의 영역일 때에 비해 상대적으로 매우 작은 값을 가지기에, 시뮬레이션상에서는 동일한 간격으로 도출되었던 그래프가 실제 실험 결과에서는 그래프간 간격에서 차이를 보였다.

이를 통해 사용된 MOSFET은 인핸스먼트형 MOSFET임을 가정해볼 수 있다. VGS가 음의 영역일 때 차단 상태에 있기에 상대적으로 ID 값이 적다는 것을 추론할 수 있다.

...

참고자료

· 없음