박막재료의 표면처리 및 PR 제거 결과

*현*
최초 등록일
2011.08.07
최종 저작일
2011.04
4페이지/한글파일 한컴오피스
가격 800원 할인쿠폰받기
다운로드
장바구니

소개글

2011년 1학기 자료입니다.

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험절차
5. 실험결과
6. 고찰

본문내용

1. 실험제목
박막재료의 표면처리 및 PR 제거
2. 실험목적
여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공정으로 나뉘어 지는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나뉘어 진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화등에 대하여 고찰하고자 한다.
3. 실험내용
가장 널리 사용되는 실리콘 산화막 (silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 이용하여 식각한다. 식각 전후의 산화막의 색깔 변화를 관찰하여 식각된 두께를 측정하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모양을 관찰한다.
4. 실험절차
(1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)
→ 산화막을 표면 코팅 및 식각장치(기본 torr)에 넣는다. - 진공상태
(2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 현미경 사용 안함.
(3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여 식각 실험을 진행한다.
→ Ar(자주빛), (흰색) 기체 투입(아래 쪽) 후 Power 후 5.5분, 진공
(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 현미경 사용 안함.
(5) 마스크 패턴의 제거 (O2 plasma ashing) - 플라즈마 애슁장치를 이용하여 산소플라즈마를 발생시켜서(위 쪽) 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거한다. -8분, PR 제거
(6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 현미경 사용 안함.
5. 실험결과
- 예시 pattern 만들기.
① 실리콘 산화막()을 입힌 실리콘 웨이퍼에

참고 자료

없음
*현*
판매자 유형Bronze개인

주의사항

저작권 자료의 정보 및 내용의 진실성에 대하여 해피캠퍼스는 보증하지 않으며, 해당 정보 및 게시물 저작권과 기타 법적 책임은 자료 등록자에게 있습니다.
자료 및 게시물 내용의 불법적 이용, 무단 전재∙배포는 금지되어 있습니다.
저작권침해, 명예훼손 등 분쟁 요소 발견 시 고객센터의 저작권침해 신고센터를 이용해 주시기 바랍니다.
환불정책

해피캠퍼스는 구매자와 판매자 모두가 만족하는 서비스가 되도록 노력하고 있으며, 아래의 4가지 자료환불 조건을 꼭 확인해주시기 바랍니다.

파일오류 중복자료 저작권 없음 설명과 실제 내용 불일치
파일의 다운로드가 제대로 되지 않거나 파일형식에 맞는 프로그램으로 정상 작동하지 않는 경우 다른 자료와 70% 이상 내용이 일치하는 경우 (중복임을 확인할 수 있는 근거 필요함) 인터넷의 다른 사이트, 연구기관, 학교, 서적 등의 자료를 도용한 경우 자료의 설명과 실제 자료의 내용이 일치하지 않는 경우

찾던 자료가 아닌가요?아래 자료들 중 찾던 자료가 있는지 확인해보세요

  • 워드파일 2019 패터닝 결과보고서 (74.5/80) 9페이지
    건식식각 방식으로 식각을 진행한다 애싱을 통해 PR제거해준다 ... 주입한다. 애싱을 통해 PR제거한다. 참고문헌 인하대학교 화학 ... 학과/ 공업화학, 화학실험교재/ 인하대학교 화학학과/2019/19~32
  • 한글파일 ITO Patterning 예비 9페이지
    위에 남아있는 PR제거해 주어야 한다. 이 과정을 stripping ... 담가 PR제거하는 방식이다. 이 방법은 대형 size의 기판에는 ... ③ PR coating 후 잔류용매를 제거하고 기판과의 접착력을 높히기
  • 워드파일 2019 패터닝 예비보고서 (74.5/80) 5페이지
    실험 목적 패터닝의 과정을 이해하고 식각 전후의 박막PR의 두께 ... 학과/ 공업화학, 화학실험교재/ 인하대학교 화학학과/2019/19 ... 화학적 또는 물리적으로 제거하는 정으로 다시 말해 반도체 회로패턴을
  • 워드파일 패터닝 예비 5페이지
    공업화학실험 Patterning and treatment of SiO2 ... 식각 실험을 진행한다. (4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 ... 부식시킨다. 식각이 끝나면 감광액도 황산용액으로 제거 한다. 이온주입
  • 한글파일 SiO2 박막식각PR 제거 실험 예비 7페이지
    1. 실험제목 박막재료의 표면처리 및 PR 제거 2. 실험목적 여러 ... 박막식각정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막식각 ... 하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로
  • 한글파일 SiO2 박막식각PR 제거 [예비] 13페이지
    < SiO2 박막식각PR 제거 > 1. 실험목적 여러 가지 ... 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각 ... 셋째로 식각정으로 나눠진다. 이러한 정 가운데서 중요한 정은 박막
  • 한글파일 SiO2 박막식각PR 제거 10페이지
    1. 실험제목 SiO2 박막식각PR 제거 2. 실험목적 여러 ... 그리고 셋째로 식각 정으로 나뉘어 진다. 이러한 정 가운데서 중요한 ... 정은 박막식각정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막식각
더보기
최근 본 자료더보기
박막재료의 표면처리 및 PR 제거 결과