접합형 전계효과 트렌지스터와 그 특성곡선

소개

접합형 전계효과 트렌지스터와 그 특성곡선

목차

• 드레인 전류 ID에 대한 드레인 소스전압 VDS와 게이트-소스 사이의 전압 VGS의 영향을 결정한다.
• J-FET의 드레인 특성곡선을 그린다.
• VDS의 임의의 값에 대한 ID-VGS에 대한 J-FET 전달 특성곡선을 그린다

본문내용

접합형 전계효과 트랜지스터와 그 특성곡선
실험 목적
드레인 전류 ID에 대한 드레인 소스전압 VDS와 게이트-소스 사이의 전압 VGS의 영향을 결정한다.
J-FET의 드레인 특성곡선을 그린다.
VDS의 임의의 값에 대한 ID-VGS에 대한 J-FET 전달 특성곡선을 그린다.
기초 이론
1. FET는 채널 내에 단지 하나의 캐리어가 존재하므로 단극소자라 부른다.
2. FET는 J-FET와 MOS-FET의 두 종류가 있다.
3. FET의 소자는 드레인, 소스, 게이트로 구성되어 있다. 이것은 트랜지스터의 컬렉터, 이미터, 베이스에 각각 대응된다.
4. FET는 전압 제어소자인 반면, 쌍극 트랜지스터는 전류 제어소자이다.
5. J-FET의 게이트는 소스에 비교하여 역바이어스 된다.
6. J-FET의 드레인 특성곡선은 다음과 같다.
(a) IDSS는 FET가 정상적으로 동작하는 범위에서 최대 드레인전류이다.
(b) 게이트-소스전압이 역바이어스로 증가하면 ID는 감소하고, 마침내 VGS(off)에서 차단된다.
7. J-FET는 태널이 N형 반도체 혹은 P형 반도체로 만들 수 있으며, 채널이 N형일 때 게이트는 P형이며 그 역도 성립한다.
8. P-채널 J-FET의 정상적인 동작에서 전원의 극성은 N채널 J-FET의 역으로 된다.
9. J-FET의 입력 임피던스는 매우 높다. 매우 높은 입력임피던스가 요구되는 디지털 멀티미터에 FET 증폭기가 사용된다.
실험 과정
실험 장비 및 재료
전원 : 직류전원 2개
측정 장치 : 디지털 멀티미터, 전류계(0~10mA)
트랜지스터 : 2N5484(N채널 J-FET)
기타 : SPST 스위치 2개
소스에 대하여 게이트 단자 단락, VGS=0
1. 그림 23-5의 회로를 구성하고, S1은 개방한다. VGG를 제거하고 게이트와 접지를 단락한다.
그림 23-5. N채널 J-FET 드레인특성 실험회로
2. VDD의 출력을 0V로 맞추고 S1을 단락한다. VDS=0, VGS=0에 대하여 드레인 전

참고자료

· 없음