JFET와 BJT의 동작원리
- 최초 등록일
- 2019.12.03
- 최종 저작일
- 2019.12
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목차
1.JFET의 동작원리
2.BJT의 동작원리
본문내용
JFET은 MOSFET이 나오기 전에 개발된 Transistor이다. JFET란 Junction Field Effect Transistor의 약자이며 구조는 그림 1과 같이 P, N, P 접합으로 이루어져 있다. JFET가 왜 FET인가? FET는 전개효과(Field Effect)의 트랜지스터이며 BJT와 트렌지스터의 기능은 같지만 전계 (전압, Voltage)로 전류를 제어한다는 점이 BJT와 다르다. 그 이외에 단극성 소자를 이용하고 자유전자와 정공 중 하나만이 전도 현상에 참여하며 단자를 Gate/Source/Drain으로 칭한다. 또 온도에 덜 예민하며 제조가 간단하다는 특성이 있다. 소자는 N채널과 P채널로 나뉜다. JFET는 이러한 특징을 가지기 때문에 FET이며 자세한 내용은 아래에서 나타낼 것이다. Gate 전극은 p+타입의 반도체와 연결되어 있다. 그 밑에는 N타입의 반도체와 접합되어있고, 그 밑으로는 P+ 타입의 반도체와 또 한 번 접합이 이루어져 있다. 위의 그림에서 빨간색 점선으로 표현한 영역은 P+ 타입과 N타입의 반도체 사이에서 발생하는 Depletion Region을 표현한 것이고, 빨간색 실선으로 표현한 영역은 전자의 이동영역을 나타낸다. 이 영역은 N타입의 반도체이기 때문에 전자가 많다. 즉, 어떤 전압을 가하지 않아도 전자가 가득한 채널이 만들어진 상태이다. 이 채널을 이용해서 소스에서 전자를 공급하여 드레인까지 보내는 동작이 JFET접합의 목표이다.
참고 자료
없음