산화공정 (Oxidation)

소개

반도체 실험인 Cleaning 공정과 Oxidation 공정 리포트 입니다.
실험 결과및 고찰 자세히 되어 잇구요.
이론도 자세하게 되어 있습니다.
이거면 A+는 받을수 있을겁니다 ^^

목차

없음

본문내용

과목명
마이크로팹 설계 실험
성명 / 조
박 준 영 / 4조
실험제목
Wafer Cleaning 공정
산화 시간에 따른 SiO₂산화층 두께 비교
실험목적
1. Wafer Cleaning (Si웨이퍼 준비 및 세척)
2. Thermal Oxidation (시간에 따른 SiO₂산화층 두께 측정 및 비교)
=>산화시간에 따라 SiO₂산화층 두깨를 비교해 본다.
실험이론
우리가 이번에 실험했던 것은 산화시간에 따라 SiO₂산화층 두께를 비교하는 것이다. 이 실험에 들어 가기에 앞서 알아야 할 것은 크게 2가지이다. Si웨이퍼를 준비하는 단계 그리고 그 Si웨이퍼를 이용하여 산화공정을 하는 것이다. 이를 위해 알아야 할 이론은 Wafer Cleaning 와 Thermal Oxidation으로 크게 나눌 수 있다.
Wafer Cleaning
Wafer Cleaning의 목적
● 오염 없는 웨이퍼
● 미립자 제거, 유기 잔류물, 무기잔류물, 원치 않는 산화물층
● 각각 별개의 프로세스 단계에서 요구됨, 전체 공정의 20% 차지
● 특히 고온 공정에서 중요함
■ 방법
- 질소건 블로잉 - 먼지 제거
1. Wafer scrubber
- 기계적 웨이퍼 표면 세척기
- 회전 웨이퍼와 브러시, water 스프레이
2. High-pressure water cleaning
- 정적(static)인 입자 제거
- 각 공정과 포토마스크
3. 유기 잔류물 제거
- 탄소를 포함하는 잔류물
- 용매 TCE -> 이소 프로필 알코올 -> 아세톤 -> DI water -> 질소 블로잉 - 건조
4. 무기 잔여물 제거
- 화학 청소 (습식 프로세스 또는 습식 클리닝)
● 황산(Sulfuric acid)
- H₂SO₄ + 산화제 H₂O₂
- 황산에 과산화수소 더함 -> 발열 반응은 H₂O₂ 용해 온도를 증가시킴.
- 과산화 수소는 점차 물로 변환 -> 희석 및 지속적인 추가가 필요
- 황산은 무기 잔류물 제거하고 산소는 탄소를 제거 (

참고자료

· 없음