전자회로실험

소개

전자회로실험 결과값 및 파형입니다.
MOSFET 측정과 NMOS 파라미터 측정값 입니다.

목차

Ⅰ 실험 목표
Ⅱ 부품과 실험 장치
Ⅲ 기초 이론
Ⅳ 실험 절차

본문내용

Ⅰ 실험 목표
NMOS와 PMOS 트랜지스터의 기본적인 성질과 기초 응용회로 실험
Ⅱ 부품과 실험 장치
패키지와 레이아웃 및 내부 결선이 그림 5.1 과 같은 4007 MOS를 실험한다. 그림에서 알 수 있듯이 세 개의 p채널과 세 개의 n채널 소자가 내장되어 있으며, 입, 출력 핀수를 줄이기 위해 몇 개의 노드는 내부적으로 미리 결선되어있으나, 상당히 자유롭게 이용 가능한 구조이다. 14번 핀은 모든 p-채널 소자의 기판에, 7번 핀은 모든 n-채널 소자 기판에 연결 되어있기 때문에, 어떤 용도에 소자를 사용하던지 14번 핀은 반드시 가장 높은 DC 전위에 7번 핀은 가장 낮은 DC 전위에 연결해야 한다. 14번 핀과 7번 핀 사이의 전압은 18V보다 작아야 하며, 이보다 전압차가 크면, P기판과 N기판사이의 절연이 파괴되므로 안전을 위하여 총 전압차를 16V 이하로 유지해야 한다.
다양한 저항값
0.1㎌의 커패시터
전원 장치
DVM
두개의 전원 공급 장치(100uF 전해나 탄탈과 1uF 세라믹 캐패시터를 병렬로 전원에 연결하여 사용할 것, 이렇게 하여 저주파 및 고주파에서 전압원이 ac적으로 접지와 낮은 임피던스로 연결되게 만듦)
파형발생기
10배율 탐침이 있는 2채널 오실로스코프
그림5.1 4770 MOS배열: a)기본 도식도, 윗면도;b)핀 배열, 기판-방향의 기호;c)핀 배열, 간략화한 모습
Ⅲ 기초 이론
교과서 5.1, 5.2, 5.4, 5.5, 5.6 (4th Ed.)
교과서 4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 (5th Ed.)
Ⅳ 실험 절차
디바이스 확인
이어질 두 실험의 목적은 MOS 소자의 파라미터를 빠르게 구하는 방법을 익히는 것이다.
E1.1 PMOS 소자 파라미터 측정

참고자료

· 없음