전자회로실험 예비 1주차

소개글

"전자회로실험 예비 1주차"에 대한 내용입니다.

목차

1. 간단한 이론
2. pspice simulation 내용
3.고찰

본문내용

1. 간단한 이론
이번 실험은 다이오드의 전류-전압 특성을 이해하기위한 실험인데 먼저, PN접합 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하여 만드는데 P형 반도체는 acceptor doping 으로 만들어지고 N형 반도체는 Donor doping 으로 만들어 진다 P형에서는 정공인 hole이 majority carrier이고 N형에서는 전자인 electron이 majority carrier이다 P형에서 정공의 농도가 N형보다 높기 때문에 정공들은 접합을 가로질러 P영역에서 N영역으로 확산할 것 이고, N형에서 전자의 농도가 P형보다 높기에 전자는 접합을 가로질러 N영역에서 P영역으로 확산할 것을 알 수 있다. 이들 두 전류 성분이 더해져 diffusion current를 형성할 것이고 이 전류는 P영역에서 N영역으로 향할 것 이다. 그리고 이 diffusion current에 의해 접합부분 근처에서 depletion region이 형성되고 이 영역 내부에서 E-field가 형성이 될 것이다.

참고 자료

없음