MOSFET 설계 제안서

소개

(1) 명제
n-channel depletion형 MOSFET 3SK14를 사용하여 시간폭 50ms의 단안정 멀티바이브레이터를 설계하라. 이때 전원전압은 +10V와 -10V로 하라.

(2) 설계의 목적
① MOSFET를 이용하여 단안정 멀티바이브레이터를 설계하는 방법을 배운다.
② MOSFET를 이용한 단안정 멀티바이브레이터의 각 소자 결정밥법을 배운다.
③ 가속 콘덴서의 역할을 배운다.

설계제안서

목차

1. 설계 목표설정
(1) 명제
(2) 설계의 목적
(3) 이론 전개

2. 설계 합성
(1) 설계 순서
(2) 사양
(3) 설계 제한요소
1) 성능
2) 규격/표준

3. 설계 분석
(1) 회로도
(2) Simulation

4. 참고 문헌

본문내용

1. 설계 목표설정
(1) 명제
n-channel depletion형 MOSFET 3SK14를 사용하여 시간폭 50ms의 단안정 멀티바이브레이터를 설계하라. 이때 전원전압은 +10V와 -10V로 하라.

(2) 설계의 목적
① MOSFET를 이용하여 단안정 멀티바이브레이터를 설계하는 방법을 배운다.
② MOSFET를 이용한 단안정 멀티바이브레이터의 각 소자 결정밥법을 배운다.
③ 가속 콘덴서의 역할을 배운다.

(3) 이론 전개
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET)는 소스와 게이트 및 드래인으로 구성되어 있으며, JFET와 다른 점은 게이트가 채널로부터 분리, 절연되어 있는 점이다. 따라서, 게이트 전압이 (+)든 (-)이든 게이트 전류는 흐르지 않는다. 즉, MOSFET의 MOS(metal oxide semi-conductor)는 소스, 게이트, 드래인 단자가 연결된 금속(metal) 부분과 절연을 위한 SiO2(이산화규소) 부분, 그리고 전류가 흐르게 되는 반도체 부분에서 이름이 지어졌다. SiO2 부분으로 인해 입력되는 전류가 없으므로 실제 MOSFET의 입력저항은 다른 소자(BJT, JFET) 비해 대단히 높다.



전도채널을 미리 제조하고, Gate 전압에 의해 전도채널 폭을 조절하는 동작을 한다. Depletion형 MOSFET는 직접회로에서 능동소자 보다 수동소자로 많이 이용 되는데 Source-drain을 고농도로 도핑하여 이 사이의 반송자가 많아지므로 전류량이 많아진다. 실 사용 시에는 source-drain의 구분이 없다.

참고자료

· [1] http://blog.daum.net/haemania/6846683
· [2] 하이브리드 회로설계, 상학당
· [3] http://blog.naver.com/dolicom?Redirect=Log&logNo=10084139379