다이오드 심화

소개

다이오드심화

목차

실험에 관련된 이론
실험회로 및 시뮬레이션 결과
실험방법 및 유의사항

본문내용

Vo의 경우엔 아주 작은 값이다. 지금 시뮬레이션에서는 거의 0을 나타낸다. 하지만 실제 실험에서는 오차의 경우와 wire의 길이 등의 조건으로 인해 시뮬레이션과는 다른 결과가 나올 것 이라고 예상한다.

실험방법 및 유의사항
이번 실험은 기존의 실험과 다르게 오실로스코프가 필요하지 않다. DMM을 주로 사용하는 실험인데 그 때문에 그리고 사용하는 소자가 다이오드라는 것 때문에 오차에 대해 매우 민감할 것으로 예상된다. 특히 전류나 전압을 측정하는데 있어서 DMM자체의 저항, 내부의 성부에 의한 오차가 나올 가능성이 있다. 특히 바이어스 부분에서는 출력되는 전류의 크기의 단위가 mA만큼 더욱 예민할 것으로 예상된다. 그렇기 때문에 약간은 과도하다 싶을 정도로 P-spice로 미리 시뮬레이션 해본 것이다. 그리고 시뮬레이션에 관해서 이다. 현재 9.1 version으로는 D1N4184 와 같은 다이오드밖에 시뮬레이션을 할 수 없었다. 그리고 이 다이오드가 Si 인지 Ge 인지 판단이 되지 않았기 때문에 가능한 다른 다이오드도 시뮬레이션을 돌려보았으나 우선 책에 나와있는 다이오드를 기준으로 작성하였다. 그리고 다른 다이오드로도 사용해본 결과, 각각 다이오드마다 문턱전압, 그리고 기울기가 커지는 전압 부분도 다르게 나타났다. 즉 아직은 확인이 안되지만 각 다이오드의 물성적인 성질에 따라서 전류의 그래프가 달라질 것을 예상 할 수 있다.

참고자료

· [1] B. Razavi, “Fundamentals of Microelectronics,” John Wiley, 1st Edition, 2007, pp.380-410
· [2]http://kin.naver.com/qna/detail.nhn?d1id=11&dirId=1118&docId=106693713&qb=7ZS87Iqk7YyM7J207Iqk7KCA7ZWt7Lih7KCV&enc=utf8&section=kin&rank=10&sort=0&spq=0